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MH32D64AKQJ-75

更新时间： 2024-01-13 23:16:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
40页 342K
描述
2,147,483,684-BIT (33,554,432-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module

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MH32D64AKQJ-75 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：DIMM, DIMM200针数：200
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.75 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N200内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：200字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM200封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.16 A
子类别：DRAMs最大压摆率：1.48 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MH32D64AKQJ-75 数据手册

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Preliminary Spec.  
Some contents are subject to change without notice.  
MITSUBISHI LSIs  
MH32D64AKQJ-75,-10  
2,147,483,684-BIT (33,554,432-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module  
- Utilizes industry standard 16M X 16 DDR Synchronous DRAMs  
DESCRIPTION  
in TSOP package , industry standard EEPROM(SPD) in  
TSSOP package  
The MH32D64AKQJ is 33554432 - word x 64-bit Double  
Data Rate(DDR) Sy nchronous DRAM mounted module.  
This consists of 8 industry standard 16M x 16 DDR  
Sy nchronous DRAMs in TSOP with SSTL_2 interf ace which  
achiev es v ery high speed data rate up to 133MHz.  
This socket-ty pe memory module is suitable f or main  
memory in computer systems and easy to interchange or  
add modules.  
- 200pin SO-DIMM  
- Vdd=Vddq=2.5v ±0.2V  
- Double data rate architecture; two data transf ers per  
clock cycle  
- Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/receiv ed  
with data  
- Dif f erential clock inputs (CLK and /CLK)  
- DLL aligns DQ and DQS transitions with CLK transition edges of DQS  
- Commands entered on each positiv e CLK edge  
- Data and data mask ref erenced to both edges of DQS  
- 4bank operation concontrolled by BA0,BA1(Bank Address  
,discrete)  
FEATURES  
- /CAS latency - 2.0/2.5 (programmable)  
- Burst length- 2/4/8 (programmable)  
- Burst Ty pe - sequential/interleav e(programmable)  
- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10  
- 8192 ref resh cycles /64ms  
CLK  
Max.  
Access Time  
Type name  
Frequency  
[component level]  
+ 0.75ns  
+ 0.8ns  
MH32D64AKQJ-75  
MH32D64AKQJ-10  
133MHz  
100MHz  
- Auto ref resh and Self ref resh  
- Row address A0-12 / Column address A0-8  
- SSTL_2 Interf ace  
- Module 2bank Conf igration  
APPLICATION  
Main memory unit for Note PC, Mobile etc.  
PCB Outline  
(Front)  
(Back)  
1
2
199  
200  
MIT-DS-0422-0.0  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
17.May.2001  
1
1234567...40

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH32D64KQH-10 MITSUBISHI

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 		2,147,483,648-BIT (33,554,432-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module
MH32D64KQH-75 MITSUBISHI

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 		DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
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MH32D72KLH-75 MITSUBISHI

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