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MH2V645CZJJ-6

更新时间： 2024-11-25 20:52:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 238K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144

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MH2V645CZJJ-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM144,32针数：144
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N144内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：144字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM144,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：25.4 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.004 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.96 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MH2V645CZJJ-6 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
Preliminary  
Preliminary  
Some of contents are subject  
to change without notice.  
MH2V645CZJJ-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S  
HYPER PAGE MODE 134217728-BIT (2097152-WORD BY 64-BIT)DYNAMIC RAM  
DESCRIPTION  
APPLICATION  
The MH2V645CZJJ is 2097152 - word by 64 - bit dynamic  
RAM module. This consists of eight industry standard 2Mx8  
dynamic RAMs in TSOP and one industry EEPROM in TSSOP.  
The mounting of TSOP on a card edge dual in line package  
provides any application where high densities and large of  
quantities memory are required.  
Main memory unit for computer,Microcomputer  
memory,Refresh memory for CRT.  
This is a socket-type memory module,suitable for easy  
interchange of addition of modules.  
FEATURES  
RAS  
CAS  
Address  
access  
time  
OE  
access  
time  
Cycle  
time  
(min.ns)  
Power  
access access  
dissipation  
time  
time  
(typ.mW)  
(max.ns)  
(max.ns) (max.ns) (max.ns)  
50  
60  
70  
13  
15  
20  
25  
30  
35  
13  
15  
20  
90  
110  
130  
MH2V645CZJJ-5,5S  
MH2V645CZJJ-6,6S  
MH2V645CZJJ-7,7S  
3480  
2880  
2520  
single 3.3V ± 0.3V supply  
Low stand-by power dissipation  
14.4mW- - - - - - - - - CMOS input level  
5.76mW- - - - - - - - - CMOS input level*  
operating power dissipation  
MH2V645CZJJ-5,5S - - - - 4200 mW(max.)  
MH2V645CZJJ-6,6S - - - - 3480 mW(max.)  
MH2V645CZJJ-7,7S - - - - 3040 mW(max.)  
Self refresh capability*  
Self refresh current - - - - 1600 uA(max.)  
All input, output TTL compatible and low capacitance  
2048 refresh cycle every 32.0ms(A0~A10)  
Utilizes industry standard 2Mx8 RAMs in TSOP and  
industry standard EEPROM in TSSOP.  
Includes decoupling capacitor(0.22uFx8)  
Hyper page mode , Read-modify-write,RAS-only  
refresh,CAS before RAS refresh,Hidden refresh  
capabilities.  
Early-write mode,OE and W to control output buffer  
impedance.  
*:Applicable to self refresh version(MH2V645CZJJ-5S,-6S,-7S)  
only  
SPD Table  
Byte No.  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12  
00 00  
13 14 27 28 29  
30 31  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
MH2V645CZJJ-5  
MH2V645CZJJ-5S  
MH2V645CZJJ-6  
MH2V645CZJJ-6S  
MH2V645CZJJ-7  
MH2V645CZJJ-7S  
32 0D  
32 0D  
12  
12  
14  
14  
14  
08  
08  
1E  
1E  
28  
28  
32  
32  
04  
04  
04  
04  
04  
04  
32  
32  
3C  
3C  
46  
00  
80  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 3C  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
00 00  
0F  
08  
00  
80  
3C 0F  
46 14  
08  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
00  
00  
08  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 46 14 00  
80 08  
14 46  
MIT-DS-0034-1.0  
Jan/23/1997  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
(
/ 25 )  
1234567...25

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与MH2V645CZJJ-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH2V645CZJJ-6S MITSUBISHI

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 		EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144
MH2V645CZJJ-7 MITSUBISHI

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 		EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144
MH2V645CZJJ-7S MITSUBISHI

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 		DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS
MH2V64CWZPJ-7 MITSUBISHI

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 		DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS
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 		DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144

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