5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MH2V645CZJJ-7S
MH2V645CZJJ-7S PDF预览

MH2V645CZJJ-7S

更新时间： 2024-11-25 20:52:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 238K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144

阅读下载

中文翻译

获取价格

MH2V645CZJJ-7S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM144,32针数：144
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N144
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：144
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM144,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：25.4 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.004 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.84 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MH2V645CZJJ-7S 数据手册

 浏览型号MH2V645CZJJ-7S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MH2V645CZJJ-7S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MH2V645CZJJ-7S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MH2V645CZJJ-7S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MH2V645CZJJ-7S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MH2V645CZJJ-7S的Datasheet PDF文件第7页 
MITSUBISHI LSIs  
Preliminary  
Preliminary  
Some of contents are subject  
to change without notice.  
MH2V645CZJJ-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S  
HYPER PAGE MODE 134217728-BIT (2097152-WORD BY 64-BIT)DYNAMIC RAM  
DESCRIPTION  
APPLICATION  
The MH2V645CZJJ is 2097152 - word by 64 - bit dynamic  
RAM module. This consists of eight industry standard 2Mx8  
dynamic RAMs in TSOP and one industry EEPROM in TSSOP.  
The mounting of TSOP on a card edge dual in line package  
provides any application where high densities and large of  
quantities memory are required.  
Main memory unit for computer,Microcomputer  
memory,Refresh memory for CRT.  
This is a socket-type memory module,suitable for easy  
interchange of addition of modules.  
FEATURES  
RAS  
CAS  
Address  
access  
time  
OE  
access  
time  
Cycle  
time  
(min.ns)  
Power  
access access  
dissipation  
time  
time  
(typ.mW)  
(max.ns)  
(max.ns) (max.ns) (max.ns)  
50  
60  
70  
13  
15  
20  
25  
30  
35  
13  
15  
20  
90  
110  
130  
MH2V645CZJJ-5,5S  
MH2V645CZJJ-6,6S  
MH2V645CZJJ-7,7S  
3480  
2880  
2520  
single 3.3V ± 0.3V supply  
Low stand-by power dissipation  
14.4mW- - - - - - - - - CMOS input level  
5.76mW- - - - - - - - - CMOS input level*  
operating power dissipation  
MH2V645CZJJ-5,5S - - - - 4200 mW(max.)  
MH2V645CZJJ-6,6S - - - - 3480 mW(max.)  
MH2V645CZJJ-7,7S - - - - 3040 mW(max.)  
Self refresh capability*  
Self refresh current - - - - 1600 uA(max.)  
All input, output TTL compatible and low capacitance  
2048 refresh cycle every 32.0ms(A0~A10)  
Utilizes industry standard 2Mx8 RAMs in TSOP and  
industry standard EEPROM in TSSOP.  
Includes decoupling capacitor(0.22uFx8)  
Hyper page mode , Read-modify-write,RAS-only  
refresh,CAS before RAS refresh,Hidden refresh  
capabilities.  
Early-write mode,OE and W to control output buffer  
impedance.  
*:Applicable to self refresh version(MH2V645CZJJ-5S,-6S,-7S)  
only  
SPD Table  
Byte No.  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12  
00 00  
13 14 27 28 29  
30 31  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
00  
MH2V645CZJJ-5  
MH2V645CZJJ-5S  
MH2V645CZJJ-6  
MH2V645CZJJ-6S  
MH2V645CZJJ-7  
MH2V645CZJJ-7S  
32 0D  
32 0D  
12  
12  
14  
14  
14  
08  
08  
1E  
1E  
28  
28  
32  
32  
04  
04  
04  
04  
04  
04  
32  
32  
3C  
3C  
46  
00  
80  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 3C  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
00 00  
0F  
08  
00  
80  
3C 0F  
46 14  
08  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01  
00  
00  
08  
80 08 02 0B 0A 01 40 00 01 46 14 00  
80 08  
14 46  
MIT-DS-0034-1.0  
Jan/23/1997  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
(
/ 25 )  
1234567...25

中文翻译

下载PDF

与MH2V645CZJJ-7S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH2V645DZJJ-5 MITSUBISHI

获取价格

 		EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144
MH2V645DZJJ-5S MITSUBISHI

获取价格

 		EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144
MH2V645DZJJ-6S MITSUBISHI

获取价格

 		EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144
MH2V645DZJJ-7 MITSUBISHI

获取价格

 		EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-144
MH2V64CWZPJ-6 MITSUBISHI

获取价格

 		DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS
MH2V64CWZPJ-7 MITSUBISHI

获取价格

 		DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS
MH2V64CZJJ-6 MITSUBISHI

获取价格

 		DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
MH2V64CZJJ-7 MITSUBISHI

获取价格

 		DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
MH2V725CWZJ-6 MITSUBISHI

获取价格

 		DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS
MH2V725CWZJ-7 MITSUBISHI

获取价格

 		DRAM Module, 2MX72, 70ns, CMOS

与MH2V645CZJJ-7S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证