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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | 0603 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8504.50.80.00 |
| 风险等级： | 5.31 | 大小写代码： | 0603 |
| 构造： | Multilayer Chip | 直流电阻： | 2.7 Ω |
| 标称电感 (L)： | 0.18 µH | 电感器类型： | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装高度： | 0.8 mm | 封装长度： | 1.6 mm |
| 封装形式： | SMT | 封装宽度： | 0.8 mm |
| 包装方法： | Bulk | 最小质量因数（标称电感时）： | 8 |
| 最大额定电流： | 0.25 A | 自谐振频率： | 520 MHz |
| 系列： | MH1608-L | 容差： | 5% |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH1616FNA-29 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 29ns, CMOS |
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| MH16D64AKQC-10 | MITSUBISHI |
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1,073,741,824-BIT (16,777,216-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module |
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| MH16D64AKQC-75 | MITSUBISHI |
获取价格 |
1,073,741,824-BIT (16,777,216-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module |
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| MH16D64AKQJ-10 | MITSUBISHI |
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DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| MH16D64AKQJ-75 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| MH16D72AKLB-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
1,207.959,552-BIT (16,777,216-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module |
|
| MH16D72AKLB-75 | MITSUBISHI |
获取价格 |
1,207.959,552-BIT (16,777,216-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module |
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| MH16D72AKTB-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
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| MH16EAD | MTRONPTI |
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Micro Peripheral IC |
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| MH16EAD-FREQ-OUT29 | MTRONPTI |
获取价格 |
HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 67MHz Max, NICKEL HEADER, DIP-4 |
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