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MH16D72AKTB-10 PDF预览

MH16D72AKTB-10

更新时间： 2024-11-27 21:14:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 394K
描述
DDR DRAM Module, 16MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184

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MH16D72AKTB-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM184针数：184
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.84
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：0.8 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：125 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：1207959552 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：184
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM184
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.508 A子类别：DRAMs
最大压摆率：1.948 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MH16D72AKTB-10 数据手册

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Preliminary Spec.  
Some contents are subject to change without notice.  
MITSUBISHI LSIs  
MH16D72AKTB-10,75  
1,207.959,552-BIT (16,777,216-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module  
DESCRIPTION  
The MH16D72AKTB is 16777216 - word x 72-bit Double  
Data Rate(DDR) Sy nchronous DRAM mounted module.  
This consists of 9 industry standard 16M x 8 DDR  
Sy nchronous DRAMs in TSOP with SSTL_2 interf ace which  
achiev es v ery high speed data rate up to 133MHz.  
This socket-ty pe memory module is suitable f or main  
memory in computer systems and easy to interchange or  
add modules.  
93pin  
1pin  
FEATURES  
CLK  
Max.  
Access Time  
[component level]  
Type name  
Frequency  
+ 0.75ns  
MH16D72AKTB-75  
MH16D72AKTB-10  
133MHz  
100MHz  
+ 0.8ns  
144pin  
145pin  
- Utilizes industry standard 16M X 8 DDR Synchronous DRAMs  
in TSOP package , industry standard Registered Buffer in  
TSSOP package , and industry standard PLL in TSSOP package.  
- Vdd=Vddq=2.5v ±0.2V  
52pin  
53pin  
- Double data rate architecture; two data transf ers per  
clock cycle  
- Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/receiv ed  
with data  
- Dif f erential clock inputs (CK0 and /CK0)  
- data and data mask ref erenced to both edges of DQS  
- /CAS latency - 2.0/2.5 (programmable)  
- Burst length- 2/4/8 (programmable)  
- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10  
- 4096 ref resh cycles /64ms  
- Auto ref resh and Self ref resh  
- Row address A0-11 / Column address A0-9  
- SSTL_2 Interf ace  
184pin  
92pin  
- Module 1bank Conf igration  
- Burst Ty pe - sequential/interleav e(programmable)  
- Commands entered on each positiv e CLK edge  
APPLICATION  
Main memory unit for PC, PCserver  
MIT-DS-0434-0.2  
5.Oct.2001  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1
1234567...40

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