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MH16D64AKQJ-75

更新时间： 2024-10-01 19:48:07

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
41页	364K
描述
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200

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MH16D64AKQJ-75 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM, DIMM200,24	针数：	200
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM200,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MH16D64AKQJ-75 数据手册

Preliminary Spec.

Some contents are subject to change without notice.

MITSUBISHI LSIs

MH16D64AKQJ-75,-10

1,073,741,824-BIT (16,777,216-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module

- Utilizes industry standard 16M X 16 DDR Synchronous DRAMs

DESCRIPTION

in TSOP package , industry standard EEPROM(SPD) in

TSSOP package

The MH16D64AKQJ is 16777216 - word x 64-bit Double

Data Rate(DDR) Sy nchronous DRAM mounted module.

This consists of 4 industry standard 16M x 16 DDR

Sy nchronous DRAMs in TSOP with SSTL_2 interf ace which

achiev es v ery high speed data rate up to 133MHz.

This socket-ty pe memory module is suitable f or main

memory in computer systems and easy to interchange or

add modules.

- 200pin SO-DIMM

- Vdd=Vddq=2.5v ±0.2V

- Double data rate architecture; two data transf ers per

clock cycle

- Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/receiv ed

with data

- Dif f erential clock inputs (CLK and /CLK)

- DLL aligns DQ and DQS transitions with CLK transition edges of DQS

- Commands entered on each positiv e CLK edge

- Data and data mask ref erenced to both edges of DQS

- 4bank operation concontrolled by BA0,BA1(Bank Address

,discrete)

Operating Frequencies

- /CAS latency - 2.0/2.5 (programmable)

- Burst length- 2/4/8 (programmable)

- Burst Ty pe - sequential/interleav e(programmable)

- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

- 8192 ref resh cycles /64ms

Clock Rate

Speed Grade

CL=2

CL=2.5

133MHz

125MHz

-75

-10

100MHz

- Auto ref resh and Self ref resh

- Row address A0-12 / Column address A0-8

- SSTL_2 Interf ace

- Module 1bank Conf igration

APPLICATION

Main memory unit for Note PC, Mobile etc.

PCB Outline

(Front)

(Back)

199

200

MIT-DS-0457-0.0

MITSUBISHI

ELECTRIC

16.Apr.2002

12 3 4 5 6 7...41

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH16D72AKLB-10	MITSUBISHI	获取价格	1,207.959,552-BIT (16,777,216-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module
MH16D72AKLB-75	MITSUBISHI	获取价格	1,207.959,552-BIT (16,777,216-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module
MH16D72AKTB-10	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
MH16EAD	MTRONPTI	获取价格	Micro Peripheral IC
MH16EAD-FREQ-OUT29	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 67MHz Max, NICKEL HEADER, DIP-4
MH16EAD-RFREQ-OUT29	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 67MHz Max, NICKEL HEADER, DIP-4
MH16EAG	MTRONPTI	获取价格	Micro Peripheral IC
MH16EAG-RFREQ-OUT29	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 67MHz Max
MH16EBD	MTRONPTI	获取价格	Micro Peripheral IC
MH16EBD-FREQ-OUT3	MTRONPTI	获取价格	TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 40MHz Max, NICKEL HEADER, DIP-4

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