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MH0816

更新时间: 2024-11-07 19:48:47
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MICRO-ELECTRONICS 局域网晶体管
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1页 53K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

MH0816 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):10 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

MH0816 数据手册

  

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