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MGP7N60ED

更新时间： 2024-01-20 02:56:10

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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode

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MGP7N60ED 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED SWITCHING, ULTRA FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	81 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	415 ns	标称接通时间 (ton)：	55 ns
Base Number Matches：	1

MGP7N60ED 数据手册

0.5

0.4

0.3

0.2

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

= 360 V

= 15 V

= 20

= 360 V

= 15 V

= 20

= 5.0 A

= 125°C

3.75 A

2.5 A

0.1

100

125

150

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

T , JUNCTION TEMPERATURE (

°C)

Figure 11. Turn–Off Losses versus

Junction Temperature

Figure 12. Turn–Off Losses versus

Collector Current

100

= 125°C

25°C

= 15 V

= 20

= 125°C

0.5

1.5

2.5

100

1000

, FORWARD VOLTAGE DROP (VOLTS)

, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 13. Forward Characteristics

versus Current

Figure 14. Reverse Biased Safe

Operating Area

Motorola IGBT Device Data

1 2 3 456

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