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MEM4X16E43VTW-5

更新时间： 2024-11-01 22:15:15

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24页	581K
描述
4 MEG x 16 EDO DRAM

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MEM4X16E43VTW-5 数据手册

4 MEG x 16

EDO DRAM

4X16E43V

EDO DRAM

FEATURES

PIN ASSIGNMENT (To p Vie w )

50-Pin TSOP

• Sin gle +3.3V ±0.3V power supply

• In dustry-stan dard x16 pin out, tim in g, fun ction s,

an d package

• 12 row, 10 colum n addresses (4)

13 row, 9 colum n addresses (8)

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

VCC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

VCC

WE#

RAS#

VCC

VSS

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

VSS

DQ11

DQ10

DQ9

DQ8

• High -perform an ce CMOS silicon -gate process

• All in puts, outputs an d clocks are LVTTL-com patible

• Exten ded Data-Out (EDO) PAGE MODE access

• 4,096-cycle CAS#-BEFORE-RAS# (CBR) REFRESH

distributed across 64m s

• Self refresh for low-power data reten tion

VSS

CASL#

CASH#

OE#

NC/A12^†

A11

A10

OPTIONS

MARKING

• Plastic Package

50-pin TSOP (400 m il)

• Tim in g

50n s access

60n s access

-5

-6

VSS

• Refresh Rates

^†A12 for " 8K" version, NC for " 4K" version.

4X16E43V

4 Meg x 16

4X16E83V

Configuration

Refresh

4 Meg x 16

• Operatin g Tem perature Ran ge

Com m ercial (0°C to +70°C)

Exten ded (-40°C to +85°C)

Non e

Row Address

Column Addressing

4K (A0-A11)

1K (A0-A9)

8K (A0-A12)

512 (A0-A8)

NOTE: 1. The “#” symbol indicates signal is active LOW.

4 MEG x 16 EDO DRAM PART NUMBERS

Part Number Example:

REFRESH

MEM4X16E43VTW-5

PART NUMBER

ADDRESSING

PACKAGE

4X16E43VTW-x

4X16E83VTW-x

400-TSOP

KEY TIMING PARAMETERS

SPEED

^tRC

84ns

104ns

^tRAC

50ns

60ns

^tPC

20ns

25ns

^tAA

25ns

30ns

^tCAC

13ns

15ns

^tCAS

8ns

x = speed

-5

-6

10ns

12 3 4 5 6 7...24

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