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MEL709

更新时间: 2024-11-01 22:30:15
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MICRO-ELECTRONICS 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
NPN SILICON PHOTO TRANSISTOR

MEL709 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V
配置:SINGLE最大暗电源:1000 nA
标称光电流:4 mA安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
功能数量:1最大通态电流:0.05 A
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-55 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR峰值波长:850 nm
最大功率耗散:0.2 W形状:ROUND
尺寸:5 mm子类别:Photo Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

MEL709 数据手册

  

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