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MDF9N60B

更新时间： 2024-10-15 01:16:39

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美格纳 - MGCHIP		/
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6页	787K
描述
N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.80(ohm)

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MDF9N60B 数据手册

ꢀ

MDF9N60B

ꢀ NꢁChannelꢀMOSFETꢀ600V,ꢀ9A,ꢀ0.80Ω

GeneralꢀDescriptionꢀ

Featuresꢀ

ꢀ

Theseꢀ Nꢁchannelꢀ MOSFETꢀ areꢀ producedꢀ usingꢀ advancedꢀ

MagnaChip’sꢀ MOSFETꢀ Technology,ꢀ whichꢀ providesꢀ lowꢀ onꢁ

stateꢀ resistance,ꢀ highꢀ switchingꢀ performanceꢀ andꢀ excellentꢀ

ꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀ600Vꢀ

I_Dꢀ=ꢀ9.0Aꢀ ꢀ

R_DS(ON)ꢀ≤ꢀ0.80ꢂꢀ

@ꢀV_GSꢀ=ꢀ10Vꢀ

quality.ꢀ

ꢀ

Applicationsꢀ

ꢀ

Theseꢀ devicesꢀ areꢀ suitableꢀ deviceꢀ forꢀ SMPS,ꢀ highꢀ Speedꢀ

switchingꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.ꢀ

ꢀ

ꢀꢀ

PowerꢀSupplyꢀ

PFCꢀ

HighꢀCurrent,ꢀHighꢀSpeedꢀSwitchingꢀ

Gꢀ

Dꢀ

Sꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25^oC)ꢀ ꢀ

Characteristicsꢀ

Symbolꢀ

Ratingꢀ

600ꢀ

Unitꢀ

DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ

V_DSS

ꢀ

Vꢀ

Aꢀ

GateꢁSourceꢀVoltageꢀ

V_GSS

±30ꢀ

ꢀ T_C=25^oCꢀ

9.0*ꢀ

5.7*ꢀ

32*ꢀ

ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrent(※)ꢀ

I_Dꢀ

ꢀ T_C=100^oCꢀ

ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrent⁽¹⁾

ꢀ PowerꢀDissipationꢀ

ꢀ

I_DM

ꢀ

ꢀ T_C=25^oCꢀ

48ꢀ

Wꢀ

P_Dꢀ

W/ ^oCꢀ

Derateꢀaboveꢀ25 ^oCꢀ

0.38ꢀ

4.8ꢀ

RepetitiveꢀAvalancheꢀEnergy⁽¹⁾ꢀ ꢀ

PeakꢀDiodeꢀRecoveryꢀdv/dt⁽³⁾

SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergy⁽⁴⁾

E_AR

dv/dtꢀ

E_AS

T_J,ꢀT_stg

ꢀ

mJꢀ

V/nsꢀ

mJꢀ

^oC

ꢀ

4.5ꢀ

ꢀ

480ꢀ

ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ

ꢀ

ꢁ55~150

※ꢀ Idꢀlimitedꢀbyꢀmaximumꢀjunctionꢀtemperatureꢀ

ꢀ

ThermalꢀCharacteristicsꢀ

ꢀ

Characteristicsꢀ

ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbient⁽¹⁾

Symbolꢀ

R_θJA

R_θJC

Ratingꢀ

62.5ꢀ

Unitꢀ

ꢀ

^oC/Wꢀ

ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCase⁽¹⁾

ꢀ

2.62ꢀ

ꢀ

Jan.ꢀ2012ꢀVersionꢀ1.0ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDF9N60BTH	MGCHIP	获取价格	N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.80(ohm)
MDF9N60TH	MGCHIP	获取价格	N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.75(ohm)
MDFB51	DYNEX	获取价格	Fast Recovery Diode
MDFB5120	DYNEX	获取价格	Fast Recovery Diode
MDFB5120	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2212A, 2000V V(RRM), Silicon,
MDFB5122	DYNEX	获取价格	Fast Recovery Diode
MDFB5122	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2200A, 2200V V(RRM),
MDFB5124	DYNEX	获取价格	Fast Recovery Diode
MDFB5124	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2200A, 2400V V(RRM),
MDFB5125	DYNEX	获取价格	Fast Recovery Diode

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