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MDD95-16N1

更新时间： 2024-11-07 06:26:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Rectifier Diode, 120A, 1600V V(RRM),

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MDD95-16N1 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.43 V	最大非重复峰值正向电流：	3300 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	120 A
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO

MDD95-16N1 数据手册

MDD 95

I_FRMS= 2x 180 A

Diode Modules

I_FAVM= 2x 120 A

V_RRM= 800-2200 V

V_RSM

V_RRM

Type

TO-240 AA

900

1300

1500

1700

1900

2100

2300

800

1200

1400

1600

1800

2000

2200

MDD 95-08N1 B

MDD 95-12N1 B

MDD 95-14N1 B

MDD 95-16N1 B

MDD 95-18N1 B

MDD 95-20N1 B

MDD 95-22N1 B

Features

●

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

International standard package

JEDEC TO-240 AA

Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

Planar passivated chips

Isolation voltage 3600 V~

UL registered, E 72873

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 105°C; 180° sine

180

120

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2800

3300

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2500

2750

òi²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

39 200

45 000

A²s

Applications

Supplies for DC power equipment

DC supply for PWM inverter

Field supply for DC motors

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

31 200

31 300

A²s

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

●

Battery DC power supplies

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

Advantages

●

I_ISOL≤ 1 mA

Space and weight savings

Simple mounting

Improved temperature and power

●

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M5)

2.5-4/22-35 Nm/lb.in.

●

cycling

Reduced protection circuits

Weight

Typical including screws

●

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

15 mA

V_F

I_F= 300 A; T_VJ= 25°C

1.43

0.75

1.95 mΩ

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C; I_F= 50 A, -di/dt = 6 A/µs

170

µC

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.26 K/W

0.13 K/W

0.46 K/W

0.23 K/W

other values

see Fig. 6/7

R_thJK

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Maximum allowable acceleration

12.7 mm

9.6 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 3

12 3

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与MDD95-16N1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD95-16N1B	IXYS	获取价格	Diode Modules
MDD95-16N1B	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-18N1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 120A, 1800V V(RRM),
MDD95-18N1B	IXYS	获取价格	Diode Modules
MDD95-18N1B	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-20N1B	IXYS	获取价格	Diode Modules
MDD95-20N1B	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD95-22N1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 120A, 2200V V(RRM),
MDD95-22N1B	IXYS	获取价格	Diode Modules
MDD95-22N1B	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-240AA, TO-240AA, 3 PI

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