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MD3S-T PDF预览

MD3S-T

更新时间： 2024-11-06 20:02:47
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 24K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MD-S, 4 PIN

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MD3S-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.62其他特性：UL LISTED
最小击穿电压：200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：35 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MD3S-T 数据手册

 浏览型号MD3S-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MD3S-T的Datasheet PDF文件第3页 
MD1S  
THRU  
MD7S  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
MINI SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 0.5 Ampere  
FEATURES  
* Surge overload rating - 30 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
MD-S  
* Weight: 0.5 gram  
MECHANICAL DATA  
1
2
3
4
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
M D  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
.004(0.10) MAX.  
0.028(0.9)  
0.020(0.5)  
0.108(2.74)  
0.092(2.34)  
0.193(4.9)  
0.177(4.5)  
0.106(2.7)  
0.091(2.3)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
0.014(0.35)  
0.006(0.15)  
0.193(4.9)  
0.177(4.5)  
Dimensions in millimeters  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
MD1S  
50  
MD2S  
100  
MD3S  
200  
MD4S  
400  
MD5S  
600  
MD6S  
800  
MD7S UNITS  
V
RRM  
RMS  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
V
DC  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
Maximum Average Forward Output Rectified  
= 30oC  
- on glass-epoxy P.C.B. ( NOTE 1 )  
Amp  
0.5  
0.8  
Current at  
T
A
I
O
- on aluminum substrate ( NOTE 2 )  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
30  
Amps  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J,  
T
STG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MD1S  
MD2S  
MD3S  
MD4S  
1.05  
MD5S  
MD6S  
MD7S UNITS  
Volts  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 0.5A DC  
V
F
uAmps  
Maximum Reverse Current at rated  
DC Blocking Voltage per element  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
10  
I
R
0.5  
mAmps  
2001-4  
NOTE: 1. On glass-epoxy P.C.B. mounted on 0.05 X 0.05” (1.3 X 1.3mm) pads.  
2. On aluminum substrate P.C.B. with an area of 0.8 X 0.8 X 0.25” (20 X 20 X 6.4mm) mounted on 0.05 X 0.05” (1.27 X 1.27mm) solder pad.  
3. Suffix “-S” Surface Mount for Mini Dip Bridge.  
123

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