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MCR72-3

更新时间： 2024-11-02 20:24:07

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, CASE 221A, 3 PIN

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MCR72-3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
其他特性：	SENSITIVE GATE	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	6 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	0.5 mA	通态非重复峰值电流：	100 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电压：	2 V	最大通态电流：	8000 A
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	100 V	重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCR72-3 数据手册

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by MCR72/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

. . . designed for industrial and consumer applications such as temperature, light and

speed control; process and remote controls; warning systems; capacitive discharge

circuits and MPU interface.

•

Center Gate Geometry for Uniform Current Density

All Diffused and Glass-Passivated Junctions for Parameter Uniformity and

Stability

Small, Rugged Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat

Dissipation and Durability

SCRs

8 AMPERES RMS

50 thru 800 VOLTS

•

Low Trigger Currents, 200 µA Maximum for Direct Driving from Integrated Circuits

CASE 221A-04

(TO-220AB)

STYLE 3

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

(T = – 40 to 110°C,

Volts

DRM

1/2 Sine Wave, R

= 1kΩ)

RRM

MCR72-2

MCR72-3

MCR72-4

MCR72-6

MCR72-8

MCR72-10

100

200

400

600

800

On-State RMS Current (T = 83°C)

Amps

T(RMS)

Peak Non-repetitive Surge Current

100

TSM

(1/2 Cycle, 60 Hz, T = –40 to 110°C)

I t

A s

Circuit Fusing (t = 8.3 ms)

Peak Gate Voltage (t

Peak Gate Current (t

Peak Gate Power (t

Average Gate Power

10 µs)

± 5

Volts

Amp

Watts

°C

0.75

G(AV)

Operating Junction Temperature Range

–40 to +110

1. V and V

for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage;

RRM

(cont.)

DRM

however, positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages

shall not be tested with a constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1995

12 3 4

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与MCR72-3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCR72-3-16	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2 P
MCR72-3-A	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-3-A16A	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, SCR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
MCR72-3-AD	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR72-3-AJ	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-3-AN	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR72-3-AS	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR72-3-AU	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-3-BA	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR72-3-BC	MOTOROLA	获取价格	8A, 100V, SCR, TO-220AB

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