5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 10 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 30 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 50 mA | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 12 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCR68-6-DW | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| MCR68-6-L | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| MCR68-6-N | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| MCR68-6-S | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| MCR68-6-T | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 400V, SCR, TO-220AB |
|
| MCR68-6-U | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 400V, SCR, TO-220AB |
|
| MCR68-6-U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2 |
|
| MCR68-6-UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| MCR68-6-W | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 400V, SCR, TO-220AB |
|
| MCR68-6-WC | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
