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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCR16N-BV
MCR16N-BV PDF预览

MCR16N-BV

更新时间： 2024-11-24 13:11:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 347K
描述
16A, 800V, SCR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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MCR16N-BV 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.67外壳连接：ANODE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1 V
最大维持电流：40 mAJESD-30 代码：R-PSFM-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：16 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCR16N-BV 数据手册

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by MCR16/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
*Motorola preferred devices  
Designed primarily for half–wave ac control applications, such as motor  
controls, heating controls, and power supplies; or wherever half–wave, silicon  
gate–controlled devices are needed.  
SCRs  
16 AMPERES RMS  
400 thru 800  
VOLTS  
•
•
•
•
•
Blocking Voltage to 800 Volts  
On-State Current Rating of 16 Amperes RMS  
High Surge Current Capability — 160 Amperes  
Industry Standard TO–220AB Package for Ease of Design  
Glass Passivated Junctions for Reliability and Uniformity  
A
K
A
G
CASE 221A–06  
(TO-220AB)  
Style 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Off-State Voltage (1)  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
V
DRM  
V
RRM  
Volts  
(T = –40 to 125°C)  
J
MCR16D  
MCR16M  
MCR16N  
400  
600  
800  
On-State RMS Current  
(All Conduction Angles)  
I
16  
A
A
T(RMS)  
Peak Non-repetitive Surge Current  
(One Half Cycle, 60 Hz, T = 125°C)  
I
160  
TSM  
J
2
2
Circuit Fusing Consideration (t = 8.3 ms)  
I t  
106  
5.0  
A sec  
Peak Gate Power (Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)  
P
Watts  
Watts  
A
C
GM  
Average Gate Power (t = 8.3 ms, T = 80°C)  
P
0.5  
C
G(AV)  
Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)  
I
2.0  
C
GM  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–40 to +125  
–40 to +150  
°C  
J
T
stg  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction to Case  
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
R
R
1.5  
62.5  
°C/W  
°C  
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds  
(1) andV  
T
260  
L
V
DRM  
foralltypescanbeappliedonacontinuousbasis. Ratingsapplyforzeroornegativegatevoltage;positivegatevoltageshall  
RRM  
notbeappliedconcurrentwithnegativepotentialontheanode. Blockingvoltagesshallnotbetestedwithaconstantcurrentsourcesuchthatthe  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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与MCR16N-BV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCR16N-DW MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR16NG ONSEMI

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 		Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR16NG LITTELFUSE

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 		该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源；或用于需要半波硅门控设
MCR1718-5 MOTOROLA

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 		25A, 300V, SCR
MCR1718-5 DIGITRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 300; Max TMS Bridge Inp
MCR1718-6 DIGITRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 400; Max TMS Bridge Inp
MCR1718-7 DIGITRON

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 		Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 500; Max TMS Bridge Inp
MCR1718-8 MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme
MCR1718-8 DIGITRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 600; Max TMS Bridge Inp
MCR18 ROHM

获取价格

 		Thick film rectangular

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