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MCR101-4C

更新时间： 2024-11-11 18:55:07

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友顺 - UTC		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	112K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92

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MCR101-4C 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	SENSITIVE GATE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	20 V/us
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	10 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	10 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大均方根通态电流：	0.8 A	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCR101-4C 数据手册

UTC MCR101

SCR

SENSITIVE GATE SILICON

CONTROLLED RECTIFIERS

REVERSE BLOCKING

THYRISTORS

DESCRIPTION

PNPN devices designed for high volume,

line-powered consumer applications such as relay

and lamp drivers, small motor controls, gate drivers

for larger thyristors, and sensing and detection

circuits. Supplied in an inexpensive plastic TO-92

package which is readily adaptable for use in

automatic insertion equipment.

TO-92

DESCRIPTION

*Sensitive Gate Allows Triggering by Micro controllers

and Other Logic circuits

1: GATE 2: ANODE 3:CATHODE:

*Blocking Voltage to 600V

*On-State Current Rating of 0.8A RMS at 80°C

*High Surge Current Capability – 10A

*Minimum and Maximum Values of IGT, VGT and IH

Specified for Ease of Design

*Immunity to dV/dt – 20V/µsec Minimum at 110°C

*Glass-Passivated Surface for Reliability and

Uniformity

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Lead Solder Temperature (<1/16” from case, 10 secs max)

SYMBOL

R_θJC

R_θJA

MAX

200

260

UNIT

°C/W

°C

T_L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Peak Repetitive Off-State Voltage(note)

(T_J=-40 to 110°C, Sine Wave, 50 to 60Hz; Gate Open)

MCR101-4

SYMBOL

MAX

UNIT

VDRM,VRRM

200

400

600

0.8

MCR101-6

MCR101-8

On-Sate RMS Current

IT(RMS)

(Tc=80°C) 180° Condition Angles

Peak Non-Repetitive Surge Current

(1/2 cycle, Sine Wave, 60Hz, T_J=25°C)

Circuit Fusing Considerations (t=8.3 ms)

ITSM

I²t

0.415

A²s

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R301-009,B

12 3 4 5

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与MCR101-4C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCR101-4-C-T92-B	UTC	获取价格	FH LW SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS
MCR101-6	UTC	获取价格	SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS
MCR101-6AA	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92
MCR101-6-AA-T92-B	UTC	获取价格	FH LW SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS
MCR101-6AB	UTC	获取价格	暂无描述
MCR101-6-AB-T92-B	UTC	获取价格	FH LW SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS
MCR101-6AC	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92
MCR101-6-AC-T92-B	UTC	获取价格	FH LW SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS
MCR101-6-AC-T92-K	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, PL
MCR101-6AD	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92

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