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MCR100-6

更新时间： 2024-01-02 16:29:48

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APOLLOELECTRON		栅极
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6页	738K
描述
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers

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MCR100-6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	7.2
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	20 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	1.2 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	10 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	800 A
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

MCR100-6 数据手册

CR100-6

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers

TO-92

Symbol

○ 3. Anode

= 600V

= 1.0A

DRM

T(RMS)

▼

○

= 10A

2.Gate

TSM

○

1.Cathode

Features

◆ Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V

◆ R.M.S On-State Current ( I = 1.0 A )

T(RMS)

◆ Low On-State Voltage (1.3V(Typ.))

General Description

Sensitive-gate triggering thyristor is suit able for the application where gate current limited such as

small motor control, gate driver for large thyristor, sensing and detecting circuits.

This device may substitute for MCR100-6, MCR100-8.

Absolute Maximum Ratings ( T_J= 25°C unless otherwise specified )

Symbol

V_DRM

Parameter

Repetitive Peak Off-State Voltage

Average On-State Current

R.M.S On-State Current

Condition

sine wave,50 to 60Hz

Ratings

600

Units

half sine wave : T_C= 83 °C

I_T(AV)

0.5

I_T(RMS)

All Conduction Angle

1.0

1/2 Cycle, 60Hz, sine wave

non-repetitive , t = 8.3ms

I_TSM

Surge On-State Current

I²t

t = 8.3ms

0.415

I²t for Fusing

A²s

P_GM

Forward Peak Gate Power Dissipation

Forward Average Gate Power Dissipation

Forward Peak Gate Current

T_A= 25 °C, pulse width ≤ 1.0㎲

T_A= 25 °C, t = 8.3ms

P_G(AV)

I_FGM

V_RGM

0.1

T_A= 25 °C, pulse width ≤ 1.0㎲

Reverse Peak Gate Voltage

5.0

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

- 40 ~ 110

°C

T_STG

- 40 ~ 150

April, 2010. Rev.1

1/6

12 3 4 5 6

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与MCR100-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCR100-6_1	TGS	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors (SOT-89)	获取价格
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MCR100-6-A1G	TSC	Thyristors	获取价格
MCR100-6AA	UTC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
MCR100-6AA(SOT-89)	UTC	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 400V V(DRM)	获取价格