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MCR100-6D

更新时间： 2023-12-06 20:02:17
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捷捷微 - JJM 可控硅
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9页 935K
描述
门极灵敏型单向可控硅

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MCR100-6D 数据手册

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JIEJIE MICROELECTRONICS CO., LTD.  
MCR100-6D 0.8A Sensitive SCR  
Rev.A.1.0  
DESCRIPTION:  
The MCR100-6D SCR provides high dV/dt rate  
with strong resistance to electromagnetic  
interface. It is especially recommended for  
use on residual current circuit breaker, straight  
hair, igniter etc. Package TO-92 is RoHS  
compliant.  
MAIN FEATURES  
Symbol  
Value  
0.8  
Unit  
A
IT(RMS)  
VDRM /VRRM  
IGT  
500  
V
≤120  
μA  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Tstg  
Value  
Unit  
℃
℃
V
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
-40-150  
①
Tj  
-40-125  
500  
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)  
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)  
Average on-state current (TC≤60℃)  
RMS on-state current (TC≤60℃)  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
IT(RMS)  
500  
V
0.5  
A
0.8  
A
Non repetitive surge peak on-state current  
(tp=10ms , Tj=25℃)  
Non repetitive surge peak on-state current  
(tp=8.3ms , Tj=25℃)  
8
ITSM  
A
9
I2t value for fusing (tp=10ms , Tj=25℃)  
I2t  
0.32  
50  
A2s  
Critical rate of rise of on-state current  
(IG=2×IGT , f=100Hz , Tj=125℃)  
dI/dt  
A/μs  
Peak gate current (tp=20μs, Tj=125℃)  
IGM  
1
A
Average gate power dissipation (Tj=125℃)  
PG(AV)  
0.1  
W
TEL：+86-513-68528666  
http://www.jjwdz.com  
1
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