是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.53 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 0.08 mA |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大均方根通态电流: | 0.8 A |
断态重复峰值电压: | 400 V | 重复峰值反向电压: | 400 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MCR100-6B | UTC | Silicon Controlled Rectifier |
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MCR100-6B(SOT-89) | UTC | Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 400V V(DRM) |
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MCR100-6B(TO-92) | UTC | Silicon Controlled Rectifier, 400V V(DRM) |
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MCR100-6C(SOT-89) | UTC | Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 400V V(DRM) |
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MCR100-6D | JJM | 门极灵敏型单向可控硅 |
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MCR100-6G | ONSEMI | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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