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MCM64T116DG70

更新时间： 2024-11-18 20:50:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 377K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168

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MCM64T116DG70 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度：32
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：31.877 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.076 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MCM64T116DG70 数据手册

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by MCM64T116/D  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
MCM64T116  
Product Preview  
1M x 64 Bit Dynamic Random  
Access Memory Module  
D PACKAGE  
DIMM MODULE  
CASE 1115B–01  
The MCM64T116 is a dynamic random access memory (DRAM) module  
organized as 1,048,576 x 64 bits. The module is a JEDEC–standard 168–lead  
dual–in–line memory module (DIMM) with 84 separate contacts per side, consisting  
of four MCM518160A DRAMs housed in standard 400–mil packages (TSOP),  
mounted on a substrate along with two 0.22 µF (min) decoupling capacitors  
mounted adjacent to each DRAM. Buffering is provided for address and all clock  
pins except RAS. The MCM518160A is a CMOS high speed dynamic random  
access memory organized as 1,048,576 sixteen–bit words and fabricated with  
CMOS silicon–gate process technology.  
1
10  
11  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Three–State Data Output  
Early–Write Common I/O Capability  
Fast Page Mode Capability  
TTL–Compatible Inputs and Outputs  
RAS–Only Refresh  
CAS Before RAS Refresh  
Hidden Refresh  
1024 Cycle Refresh: 16 ms (Max)  
Consists of Four 1M x 16 DRAMs, Eight 0.22 µF (Min) Decoupling Capacitors,  
and Two 16–Bit Buffers  
40  
41  
•
•
Unlatched Data Out at Cycle End Allows Two Dimensional Chip Selection  
Presence Detect Enable (PDE) Controls Access to 8 Bits of Buffered PD  
Information  
•
•
Notch Keys Prevent Accidental Insertion in Low Voltage (3.3 V) Systems  
Fast Access Time (t  
RAC  
): MCM64T116–60 = 60 ns (Max)  
MCM64T116–70 = 70 ns (Max)  
•
•
Low Active Power Dissipation: MCM64T116–60 = 828 mW (Max)  
MCM64T116–70 = 700 mW (Max)  
Low Standby Power Dissipation: TTL Levels = 80 mW (Max)  
CMOS Levels = 76 mW (Max)  
84  
PIN NAMES  
A0, B0, A1 – A9 . . . . . . . . . Address Inputs  
CAS0 – CAS7 . . Column Address Strobe  
WE0, WE2 . . . . . . . . . . . . . . . Write Enable  
PD1 – PD8 . . . Buffered Presence Detect  
PDE . . . . Presence Detect Output Enable  
DQ0 – DQ70* . . . . . Data Input/Output  
RAS0, RAS2 . . . Row Address Strobe  
G0, G2 . . . . . . . . . . . . . . Output Enable  
ID0, ID1 . . . . . . . . . . Unbuffered ID Bit  
V
. . . . . . . . . . . . . . . . Power (+ 5 V)  
CC  
NC . . . . . . . . . . . . . . . . No Connection  
V
SS  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ground  
*DQ8, DQ17, DQ26, DQ35, DQ44, DQ53, andDQ62arenotpresenton64bitmodules.  
This document contains information on a new product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
10/95  
Motorola, Inc. 1995  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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