是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | BGA, BGA86,9X10 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.9 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | ON-CHIP ADDRESS MULTIPLEXER; DSPRAM | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B86 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.78 mm | 内存密度: | 196608 bit |
内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度: | 24 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 86 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX24 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA86,9X10 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.44 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.524 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 16.26 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCM5L4100AN60 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC | |
MCM5L4100AN60R2 | MOTOROLA |
获取价格 |
4MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20 | |
MCM5L4100AN70 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC | |
MCM5L4100AN70R2 | MOTOROLA |
获取价格 |
4MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20 | |
MCM5L4100AN80 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC | |
MCM5L4100AN80R2 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC | |
MCM5L4100AT60 | MOTOROLA |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP-26/20 | |
MCM5L4100AT60R2 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC | |
MCM5L4100AT70 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC | |
MCM5L4100AT70R2 | NXP |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC |