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MCM2018AN35

更新时间: 2024-01-21 05:17:24
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摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 149K
描述
2KX8 STANDARD SRAM, 35ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

MCM2018AN35 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:31.69 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.44 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MCM2018AN35 数据手册

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