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MCH6663-TL-W

更新时间： 2024-10-15 11:13:47

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安森美 - ONSEMI		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	647K
描述
互补双路功率 MOSFET 30V

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MCH6663-TL-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	1.49
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	0.188 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MCH6663-TL-W 数据手册

MCH6663

Power MOSFET

www.onsemi.com

30V, 188m

Complementary Dual

, 1.8A,

−

30V, 325m

, −1.5A,

Features

(on) Max

DSS

D Max

1.8A

• ON-Resistance Nch : R (on)1=145mΩ (typ)

188 mΩ@ 10V

343 mΩ@ 4.5V

378 mΩ@ 4V

N-Ch

30V

Pch : R (on)1=250mΩ (typ)

• 4V Drive

• Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET

• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance

325 mΩ@ −10V

555 mΩ@ −4.5V

641 mΩ@ −4V

P-Ch

−30V

−1.5A

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

Electrical Connection

N-Channel and P-Channel

N-channel

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

P-channel

Unit

DSS

−30

GSS

1.8

−1.5

1 : Source1

2 : Gate1

3 : Drain2

4 : Source2

5 : Gate2

Drain Current (Pulse)

7.2

−6

PW≤10μs, duty cycle≤1%

Power Dissipation

6 : Drain1

When mounted on ceramic substrate

(900mm²

×0.8mm) 1unit

0.8

150

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

−55 to +150

Tstg

This product is designed to “ESD immunity < 200V*”, so please take care when handling.

* Machine Model

Packing Type : TL

Marking

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Junction to Ambient

When mounted on ceramic substrate

(900mm²

0.8mm) 1unit

Symbol

Value

Unit

°C/W

156.25

θJA

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,

damage may occur and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 7 of this data sheet.

March 2015 - Rev. 3

Publication Order Number :

MCH6663/D

12 3 4 5 6 7

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MCH6702	SANYO	获取价格	DC/DC Converter Applications
MCH6731	SANYO	获取价格	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applicati
MCH6732	SANYO	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applicati
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