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MCE545 PDF预览

MCE545

更新时间： 2024-09-27 19:52:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 563K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, DIE

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MCE545 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：DIE
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.86最大集电极电流 (IC)：0.4 A
集电极-发射极最大电压：70 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-NJESD-609代码：e0
元件数量：1封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1400 MHz
Base Number Matches：1

MCE545 数据手册

 浏览型号MCE545的Datasheet PDF文件第2页 
MCE545 WAFFLE PACK DIE  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
R F P R O D U C T S D I V I S I O N  
DESCRIPTION  
KEY FEATURES  
High FTau-1.4GHz  
!
!
The MCE545 is a high breakdown, high gain, discrete PNP silicon  
bipolar transistor, shipped in waffle pack.  
High Breakdown  
BVCEO = 70V  
IMPORTANT:  
For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
Gold Back Metal  
APPLICATIONS/BENEFITS  
!
LNA, Oscillator  
, Pre-Driver  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
100  
3.0  
400  
MCE545 DIE  
A
STATIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
ICBO  
Test Conditions  
Value  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)  
70  
-
-
-
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC= 100 µAdc, IE=0)  
100  
-
-
Vdc  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE = 100 µAdc, IC = 0)  
3.0  
-
Vdc  
µA  
Collector Cutoff Current  
(VCE = 80 Vdc, IE = 0 Vdc)  
-
-
-
20  
100  
ICES  
Collector Cutoff Current  
(VCE = 80 Vdc, IE = 0 Vdc)  
1.0  
µA  
HFE  
DC Current Gain  
(IC = 50 mAdc, VCE = 6.0 Vdc)  
15  
-
-
DYNAMIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)  
DYNAMIC  
Symbol  
Test Conditions  
Value  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Current-Gain - Bandwidth Product  
(IC = 50 mAdc, VCE = 25 Vdc, f = 250 MHz)  
fT  
1000  
1400  
-
MHz  
Copyright 2001  
Microsemi  
Page 1 of 2  
RF Products Division  
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCE545E3 MICROSEMI

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silico
MCE-6E8F-Z01 UOT

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 		650 nm LASER DIODE
MCE-6E8F-Z02 UOT

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 		650 nm LASER DIODE
MCE-8V4C-301 UOT

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MCE-8V4C-302 UOT

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 		850 nm VCSEL
MCE-8V4C-312 UOT

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 		850 nm VCSEL
MCEDWT-A1-0000-0000A1001 CREE

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 		Product family data sheet
MCEDWT-A1-0000-0000A1002 CREE

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