5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.65 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 快速连接描述： | G |
| 螺丝端子的描述： | A-K-AK | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-240AA | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 最大漏电流： | 15 mA | 通态非重复峰值电流： | 1800 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最大通态电流： | 85000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 180 A |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCD72-06IO8 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 600V V(RRM), |
|
| MCD72-06IO8B | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 85000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem |
|
| MCD72-08IO1B | IXYS |
获取价格 |
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules |
|
| MCD72-08IO8 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 800V V(RRM), |
|
| MCD72-08IO8B | IXYS |
获取价格 |
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules |
|
| MCD72-08IO8B | LITTELFUSE |
获取价格 |
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 |
|
| MCD72-12IO1B | IXYS |
获取价格 |
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules |
|
| MCD72-12IO1B | LITTELFUSE |
获取价格 |
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 |
|
| MCD72-12IO8 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(RRM), |
|
| MCD72-12IO8B | IXYS |
获取价格 |
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
