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MCD72-12IO1B

更新时间： 2024-11-18 11:06:35

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IXYS		可控硅二极管
页数	文件大小	规格书
4页	169K
描述
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules

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MCD72-12IO1B 数据手册

MCC 72

MCD 72

I_TRMS= 2x180 A

I_TAVM= 2x115 A

V_RRM= 800-1800 V

Thyristor Modules

Thyristor/Diode Modules

TO-240 AA

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

Version

1 B

8 B

Version

1 B

8 B

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

MCC 72-08 io1 B / io8 B

MCC 72-12 io1 B / io8 B

MCC 72-14 io1 B / io8 B

MCC 72-16 io1 B / io8 B

MCC 72-18 io1 B / io8 B

MCD 72-08 io1 B /io8 B

MCD 72-12 io1 B /io8 B

MCD 72-14 io1 B /io8 B

MCD 72-16 io1 B /io8 B

MCD 72-18 io1 B /io8 B

6 7 1

5 4 2

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

I_TRMS, I_FRMS

T_VJ= T_VJM

T_C= 63°C; 180° sine

T_C= 85°C; 180° sine

180

115

MCC

Version 1 B

_TAVM, I_FAVM

5 4 2

I_TSM, I_FSM

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1700

1800

MCD

Version 1 B

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1540

1640

∫i²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

14 450

13 500

A²s

MCC

Version 8 B

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

11 850

11 300

(di/dt)_cr

T_VJ= T_VJM

repetitive, I_T= 250 A

150

A/µs

f = 50 Hz; t_P=200 µs

V_D= ²/₃V_DRM

MCD

Version 8 B

I_G= 0.45 A

di_G/dt = 0.45 A/µs

non repetitive, I_T= I_TAVM

V_DR= ²/₃V_DRM

500

A/µs

V/µs

Features

(dv/dt)_cr

P_GM

T_VJ= T_VJM

;

1000

• International standard package,

JEDEC TO-240 AA

• Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

• Planar passivated chips

• Isolation voltage 3600 V~

• UL registered, E 72873

R_GK= ∞; method 1 (linear voltage rise)

T_VJ= T_VJM

I_T= I_TAVM

;

t_P= 30 µs

t_P= 300 µs

;

P_GAV

V_RGM

0.5

• Gate-cathode twin pins for version 1B

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+125

125

-40...+125

°C

Applications

• DC motor control

• Softstart AC motor controller

• Light, heat and temperature control

V_ISOL

50/60 Hz, RMS;

I_ISOL≤ 1 mA;

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M5)

2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.

Advantages

Weight

Typical including screws

• Space and weight savings

• Simple mounting with two screws

• Improvedtemperatureandpowercycling

• Reduced protection circuits

Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 4

12 3 4

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MCD72-12IO1B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MCD72-12IO8B	IXYS	完全替代	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCD56-12IO1B	IXYS	类似代替	Thyristor Modules /Diode Modules
MCC56-12IO8B	IXYS	类似代替	Thyristor Modules /Diode Modules

与MCD72-12IO1B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCD72-12IO8	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(RRM),
MCD72-12IO8B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCD72-12IO8B	LITTELFUSE	获取价格	晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCD72-14IO1B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCD72-14IO8	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1400V V(RRM),
MCD72-14IO8B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCD72-14IO8B	LITTELFUSE	获取价格	晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCD72-16IO1B	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCD72-16IO1B	LITTELFUSE	获取价格	晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCD72-16IO8	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1600V V(RRM),

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