MCC250-08IO1

更新时间： 2024-11-17 22:46:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		可控硅二极管
页数	文件大小	规格书
4页	142K
描述
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MCC250-08IO1 数据手册

MCC 250

MCD 250

I_TRMS= 2x450 A

I_TAVM= 2x287 A

V_RRM= 800-1800 V

Thyristor Modules

Thyristor/Diode Modules

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

Version 1

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

MCC 250-08io1

MCC 250-12io1

MCC 250-14io1

MCC 250-16io1

MCC 250-18io1

MCD 250-08io1

MCD 250-12io1

MCD 250-14io1

MCD 250-16io1

MCD 250-18io1

6 7 1

5 4 2

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

I_TRMS, I_FRMS

T_VJ= T_VJM

T_C= 85°C; 180° sine

450

287

_TAVM, I_FAVM

MCC

MCD

I_TSM, I_FSM

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

9000

9600

5 4 2

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

7800

8500

∫i²dt

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

405 000

380 000

A²s

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

304 000

300 000

A²s

Features

• International standard package

• Direct copper bonded Al₂O₃-ceramic

base plate

• Planar passivated chips

• Isolation voltage 3600 V~

• UL registered, E 72873

• Keyed gate/cathode twin pins

(di/dt)_cr

T_VJ= T_VJM

;

repetitive, I_T= 860 A

100

A/µs

f = 50 Hz; t_P= 200 µs

V_D= ²/₃V_DRM

I_G= 1 A;

di_G/dt = 1 A/µs

non repetitive, I_T= 290 A

V_DR= ²/₃V_DRM

800

A/µs

V/µs

(dv/dt)_cr

P_GM

T_VJ= T_VJM

;

1000

R_GK= ∞; method 1 (linear voltage rise)

T_VJ= T_VJM

I_T= I_TAVM

;

t_P= 30 µs

t_P= 500 µs

120

Applications

;

• Motor control

• Power converter

• Heat and temperature control for

industrial furnaces and chemical

processes

P_GAV

V_RGM

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+140

140

-40...+125

°C

• Lighting control

• Contactless switches

V_ISOL

50/60 Hz, RMS;

I_ISOL≤ 1 mA;

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

Advantages

• Space and weight savings

• Simple mounting

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M8)

2.5-5/22-44 Nm/lb.in.

12-15/106-132 Nm/lb.in.

• Improvedtemperatureandpowercycling

• Reduced protection circuits

Weight

Typical including screws

320

Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MCC250-08IO1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCC250-12IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC250-14IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC250-16IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC250-18IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC255	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC255-12IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC255-12IO1	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCC255-12lO1	NJSEMI	获取价格	Thyristor Modules
MCC255-14IO1	IXYS	获取价格	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC255-14IO1	NJSEMI	获取价格	Thyristor Modules

与MCC250-08IO1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MCC250-08IO1

MCC250-08IO1 数据手册

与MCC250-08IO1相关器件

与MCC250-08IO1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MCC250-08IO1

MCC250-08IO1 数据手册

与MCC250-08IO1相关器件

与MCC250-08IO1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？