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Datasheet > 微控制器和处理器 > 计时器或实时时钟> MC14536BDWR2G
MC14536BDWR2G PDF预览

MC14536BDWR2G

更新时间： 2024-02-15 15:38:14
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 计时器或实时时钟微控制器和处理器外围集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
14页 150K
描述
Programmable Timer

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MC14536BDWR2G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.54
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/225196.1.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=225196
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=2251963D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=225196
Samacsys PartID：225196Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/MC14536BDWR2G.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MC14536BDWR2G.jpgSamacsys Pin Count：16
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC-16 WB CASE 751G-03 ISSUE DSamacsys Released Date：2015-08-07 09:42:55
Is Samacsys：N最大时钟频率：2 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e3
长度：10.3 mm湿度敏感等级：3
端子数量：16计时器数量：1
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大供电电压：18 V
最小供电电压：3 V标称供电电压：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.5 mmuPs/uCs/外围集成电路类型：TIMER, PROGRAMMABLE
Base Number Matches：1

MC14536BDWR2G 数据手册

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8.0  
−
                                            
12  
−
                                            
16  
−
                                                 
−
                                                                
55  
25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
1.0 k  
10 k  
R
TC  
0.001  
100 k  
, RESISTANCE (W)  
0.01  
1.0 M  
0.1  
−
−
                                           
4.0  
MC14536B  
TYPICAL RC OSCILLATOR CHARACTERISTICS  
(For Circuit Diagram See Figure 13 In Application)  
100  
8.0  
4.0  
0
V
= 10 V  
DD  
V
= 15 V  
DD  
50  
f AS A FUNCTION  
OF R  
20  
10  
TC  
(C = 1000 pF)  
(R ≈ 2R  
)
TC  
S
10 V  
5.0  
f AS A FUNCTION  
OF C  
2.0  
1.0  
0.5  
(R = 56 kW)  
TC  
(R = 120 k)  
5.0 V  
S
0.2  
0.1  
R
= 56 kW,  
R
R
= 0, f = 10.15 kHz @ V = 10 V, T = 25°C  
TC  
S
DD  
A
= 120 kW, f = 7.8 kHz @ V = 10 V, T = 25°C  
C = 1000 pF  
S
DD  
A
*Device Only.  
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)*  
A
0.0001  
C, CAPACITANCE (mF)  
Figure 3. RC Oscillator Stability  
Figure 4. RC Oscillator Frequency as a  
Function of RTC and C  
MONOSTABLE CHARACTERISTICS  
(For Circuit Diagram See Figure 12 In Application)  
100  
100  
FORMULA FOR CALCULATING t IN  
FORMULA FOR CALCULATING t IN  
W
MICROSECONDS IS AS FOLLOWS:  
0.85  
W
MICROSECONDS IS AS FOLLOWS:  
0.85  
ꢀt = 0.00247 • R • (C )  
ꢀt = 0.00247 • R • (C )  
W
X
X
W
X
X
ꢀꢀWHERE R IS IN kW, C IN pF.  
X
ꢀꢀWHERE R IS IN kW, C IN pF.  
X
10  
10  
R = 100 kW  
X
R = 100 kW  
X
50 kW  
50 kW  
1.0  
0.1  
1.0  
0.1  
10 kW  
5 kW  
10 kW  
5 kW  
T = 25°C  
DD  
T = 25°C  
DD  
A
A
V
= 5 V  
V
= 10 V  
1.0  
10 100  
C , EXTERNAL CAPACITANCE (pF)  
1000  
1.0  
10 100  
C , EXTERNAL CAPACITANCE (pF)  
1000  
X
X
Figure 5. Typical CX versus Pulse Width  
@ VDD = 5.0 V  
Figure 6. Typical CX versus Pulse Width  
@ VDD = 10 V  
100  
FORMULA FOR CALCULATING t IN  
W
MICROSECONDS IS AS FOLLOWS:  
0.85  
ꢀt = 0.00247 • R • (C )  
W
X
X
ꢀꢀWHERE R IS IN kW, C IN pF.  
X
10  
R = 100 kW  
X
50 kW  
1.0  
0.1  
10 kW  
5 kW  
T = 25°C  
A
V
= 15 V  
DD  
1.0  
10  
100  
1000  
C , EXTERNAL CAPACITANCE (pF)  
X
Figure 7. Typical CX versus Pulse Width  
@ VDD = 15 V  
http://onsemi.com  
7
1...45678910...14

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