MC1413BDR2

更新时间： 2024-11-21 04:41:03

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
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描述
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

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MC1413BDR2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	CASE 751B-05, SOIC-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.05
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	7	端子数量：	16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MC1413BDR2 数据手册

MC1413, MC1413B,

NCV1413B

High Voltage, High Current

Darlington Transistor Arrays

The seven NPN Darlington connected transistors in these arrays are

well suited for driving lamps, relays, or printer hammers in a variety of

industrial and consumer applications. Their high breakdown voltage

and internal suppression diodes insure freedom from problems

associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500 mA

permit them to drive incandescent lamps.

http://onsemi.com

PDIP−16

The MC1413, B with a 2.7 kW series input resistor is well suited for

systems utilizing a 5.0 V TTL or CMOS Logic.

P SUFFIX

CASE 648

Features

• Pb−Free Packages are Available*

SOIC−16

D SUFFIX

CASE 751B

1/7 MC1413, B

2.7 k

5.0 k

Pin 9

ORDERING INFORMATION

3.0 k

†

Device

MC1413D

Package

Shipping

SOIC−16

48 Units/Rail

MC1413DR2

SOIC−16 2500 Tape & Reel

Figure 1. Representative Schematic Diagram

MC1413DR2G

SOIC−16 2500 Tape & Reel

(Pb−Free)

MC1413P

PDIP−16

500 Units/Rail

MC1413PG

PDIP−16

500 Units/Tubes

(Pb−Free)

MC1413BD

SOIC−16

48 Units/Rail

MC1413BDR2

MC1413BDR2G

SOIC−16 2500 Tape & Reel

(Pb−Free)

MC1413BP

PDIP−16

500 Units/Rail

NCV1413BDR2

SOIC−16 2500 Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

DEVICE MARKING INFORMATION

See general marking information in the device marking

section on page 4 of this data sheet.

*For additional information on our Pb−Free strategy

and soldering details, please download the

ON Semiconductor Soldering and Mounting

Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

(Top View)

Figure 2. PIN CONNECTIONS

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

April, 2004 − Rev. 6

MC1413/D

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MC1413BDR2G	ONSEMI	完全替代	High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

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MC1413BDR2G	ONSEMI	获取价格	High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
MC1413BP	ROCHESTER	获取价格	0.5A, 50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 648-08, DIP-16
MC1413BP	ONSEMI	获取价格	PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
MC1413BP	MOTOROLA	获取价格	PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
MC1413BPG	ONSEMI	获取价格	High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
MC1413BPG	ROCHESTER	获取价格	0.5A, 50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 648-08, DIP-16
MC1413D	ROCHESTER	获取价格	0.5A, 50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOIC-16
MC1413D	ONSEMI	获取价格	High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
MC1413D	MOTOROLA	获取价格	PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
MC1413DG	ONSEMI	获取价格	High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

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