是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DMA | 包装说明: | DIMM, DIMM160,25 |
针数: | 160 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 最长访问时间: | 40 ns |
其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 800 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N160 |
内存密度: | 603979776 bit | 内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 160 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 32MX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM160,25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.635 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC-4R64FKE8S-845 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module | |
MC-4R96CEE6B | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6B-653 | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6B-745 | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6B-845 | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6C | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6C-653 | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6C-745 | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CEE6C-845 | NEC |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 96M-BYTE 48M-WORD x 16-BIT | |
MC-4R96CKE6B-653 | RENESAS |
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MEMORY MODULE,DRAM,RAMBUS,48MX16,CMOS,DIMM,184PIN,PLASTIC |