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MBRS15H45CTRN

更新时间： 2024-02-28 01:37:58

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TSC		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	210K
描述
Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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MBRS15H45CTRN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.16	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.8 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	7.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	250	最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	30 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

MBRS15H45CTRN 数据手册

MBRS15H45CT

Taiwan Semiconductor

CREAT BY ART

Dual Common Cathode Schottky Rectifier

FEATURES

- Low power loss, high efficiency

- Ideal for automated placement

- Guardring for overvoltage protection

- High surge current capability

- Moisture sensitivity level : level 1, per J-STD-020

- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and

in accordance to WEEE 2002/96/EC

- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TO-263AB (D²PAK)

MECHANICAL DATA

Case: TO-263AB (D²PAK)

Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0

Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free

Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified

Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102

Meet JESD 201 class 1A whisker test,

with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: As marked

Weight: 1.35 g (approximately)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum repetitive peak reverse voltage

MBRS15H45CT

SYMBOL

V_RRM

Unit

Maximum RMS voltage

V_RMS

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

V_DC

I_F(AV)

Peak repetitive forward current

(Rated VR, Square wave, 20KHz)

I_FRM

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

I_RRM

150

Peak repetitive reverse surge current (Note 1)

TYP

0.64

0.55

0.76

0.67

TYP

0.3

MAX

0.68

0.6

Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)

I_F= 7.5 A, T_J=25℃

I_F= 7.5 A, T_J=125℃

V_F

I_F= 15 A, T_J=25℃

0.8

I_F= 15 A, T_J=125℃

0.7

MAX

Maximum reverse current @ Rated V_R

T_J=25 ℃

I_R

μA

T_J=125 ℃

0.62

Voltage rate of change (Rated V_R)

Typical thermal resistance

10000

dV/dt

R_θJC

T_J

V/μs

^OC/W

^OC

Operating junction temperature range

Storage temperature range

- 55 to +175

^OC

T_STG

Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz

Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle

Document Number: DS_D1309061

Version: F13

12 3

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