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MBRF835 PDF预览

MBRF835

更新时间： 2024-01-03 10:17:50
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical /
页数 文件大小 规格书
2页 231K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBRF835 技术参数

生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：PURE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRF835 数据手册

 浏览型号MBRF835的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
MBRF830 - - - MBRF8100  
BL  
VOLTAGE RANGE: 30 - 100 V  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
CURRENT: 8.0 A  
FEATURES  
ITO-220AC  
High surge capacity.  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
111wheeling, and polarity protection applications.  
0.188(4.77)  
0.172(4.36)  
0.405(10.27)  
0.383(9.72)  
0.110(2.80)  
0.100(2.54)  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
0.140(3.56)  
0.130(3.30)  
0.131(3.39)  
0.122(3.08)  
DIA  
DIA  
0.350(8.89)  
0.330(8.38)  
PIN  
1
2
0.191(4.85)  
0.171(4.35)  
0.110(2.80)  
0.100(2.54)  
0.060(1.52)  
MECHANICAL DATA  
0.037(0.94)  
0.027(0.69)  
Case:JEDEC ITO-220AC,molded plastic body  
Terminals:Leads, solderable per MIL-STD-750,  
0.022(0.55)  
0.014(0.36)  
0.105(2.67)  
0.095(2.41)  
PIN1  
PIN2  
0.205(5.20)  
0.195(4.95)  
1 1  
Method 2026  
Polarity: As marked  
Position: Any  
Dimensions in inches and(millimeters)  
Weight:0.064 ounces,1.81 gram  
inch(mm)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.  
Ratings at 25  
MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
UNITS  
830  
835  
840 845  
850  
860  
880 8100  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
35  
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
21  
25  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
30  
35  
50  
60  
100  
Maximum average forw ard total device11111111  
IF(AV)  
IFSM  
8.0  
A
A
m rectified current @TC = 125°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
150  
b
sine-w ave superimposed on rated load  
)
)
Maximum forw ard  
voltage  
(IF=8.0A,TC=125  
0.57  
0.70  
-
(I  
0.80  
0.95  
0.85  
-
F=8.0A,TC=25  
0.70  
0.84  
V
VF  
IF=16A,TC=25  
(Note 1)  
(
)
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@TC=25  
0.1  
15  
0.5  
50  
IR  
m A  
@TC=125  
Maximum thermal resistance (Note 2)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
3.0  
RθJC  
TJ  
K/W  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
2. Thermal resistance f rom junction to case.  
www.galaxycn.com  
1.  
Document Number 0267030  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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