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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRB25H45CTHE3
MBRB25H45CTHE3 PDF预览

MBRB25H45CTHE3

更新时间： 2024-02-14 02:26:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 174K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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MBRB25H45CTHE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.74 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MBRB25H45CTHE3 数据手册

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Outline Dimensions  
Vishay High Power Products  
D2PAK, TO-262  
DIMENSIONS FOR D2PAK in millimeters and inches  
Conforms to JEDEC outline D2PAK (SMD-220)  
B
A
Pad layout  
A
(2)(3)  
E
A
(E)  
c2  
11.00  
MIN.  
(0.43)  
(3)  
D
L1  
4
2
9.65  
(0.38)  
MIN.  
(D1) (3)  
Detail A  
17.90 (0.70)  
15.00 (0.625)  
H
(2)  
1
3
3.81  
MIN.  
L2  
(0.15)  
B
B
2.32  
MIN.  
(0.08)  
A
B
2.64 (0.103)  
2.41 (0.096)  
(3)  
E1  
2 x b2  
2 x b  
C
c
View A - A  
0.004 M  
Base  
Metal  
0.010 M  
M
B
A
Plating  
(4)  
b1, b3  
2 x  
e
H
Gauge  
plane  
(4)  
c1  
(c)  
B
0° to 8°  
Seating  
plane  
Lead assignments  
L3  
A1  
Lead tip  
(b, b2)  
L
Diodes  
L4  
Detail “A”  
Rotated 90 °CW  
Section B - B and C - C  
1. - Anode (two die)/open (one die)  
2., 4. - Cathode  
3. - Anode  
Scale: None  
Scale: 8:1  
MILLIMETERS  
SYMBOL  
INCHES  
MILLIMETERS  
INCHES  
NOTES  
SYMBOL  
NOTES  
MIN.  
4.06  
0.00  
0.51  
0.51  
1.14  
1.14  
0.38  
0.38  
1.14  
8.51  
MAX.  
4.83  
0.254  
0.99  
0.89  
1.78  
1.73  
0.74  
0.58  
1.65  
9.65  
MIN.  
0.160  
0.000  
0.020  
0.020  
0.045  
0.045  
0.015  
0.015  
0.045  
0.335  
MAX.  
0.190  
0.010  
0.039  
0.035  
0.070  
0.068  
0.029  
0.023  
0.065  
0.380  
MIN.  
6.86  
9.65  
7.90  
MAX.  
8.00  
MIN.  
MAX.  
0.315  
0.420  
0.346  
A
A1  
b
D1  
E
0.270  
0.380  
0.311  
3
2, 3  
3
10.67  
8.80  
E1  
e
b1  
b2  
b3  
c
4
4
4
2
2.54 BSC  
0.100 BSC  
H
14.61  
1.78  
-
15.88  
2.79  
1.65  
1.78  
0.575  
0.070  
-
0.625  
0.110  
0.066  
0.070  
L
L1  
L2  
L3  
L4  
3
c1  
c2  
D
1.27  
0.050  
0.25 BSC  
0.010 BSC  
4.78  
5.28  
0.188  
0.208  
Notes  
(1)  
(7)  
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5 M-1994  
Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not  
exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are  
measured at the outmost extremes of the plastic body  
Thermal pad contour optional within dimension E, L1, D1 and E1  
Dimension b1 and c1 apply to base metal only  
Outline conforms to JEDEC outline TO-263AB  
(2)  
(3)  
(4)  
(5)  
(6)  
Datum A and B to be determined at datum plane H  
Controlling dimension: inch  
Document Number: 95014  
Revision: 31-Mar-09  
For technical questions concerning discrete products, contact: diodes-tech@vishay.com  
For technical questions concerning module products, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
1...345678

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与MBRB25H45CTHE3相关器件

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