MBRB1035CT

更新时间： 2024-02-09 20:25:38

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美微科 - MCC		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	92K
描述
10 Amp Schottky Barrier Rectifier 30 to 45 Volts

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MBRB1035CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.57 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1060 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

MBRB1035CT 数据手册

M C C

MBRB1030CT

THRU

MBRB1045CT

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

10 Amp

Schottky

Barrier Rectifier

30 to 45 Volts

Features

Meatl of Silicon Rectifier, Majority Conducton

Guard ring for transient protection

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability, High Efficiency

Low Power Loss

D²PAK

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

MCC

Catalog

Number

Maximum

Reccurrent

Peak Reverse

Voltage

30V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

30V

MBRB1030CT

MBRB1035CT

MBRB1040CT

MBRB1045CT

21V

35V

40V

45V

24.5V

28V

35V

40V

31.5V

45V

PIN 1

PIN 2

HEATSINK

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

10 A

T_C= 95°C

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

I_FSM

125A

8.3ms, half sine

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ

ꢇ ꢇ ꢇ ꢇ

INCHES

ꢂꢁꢄ

ꢀꢁꢂ

ꢂꢈꢉ

.421

.625

.364

ꢂꢁꢄ

9.65

14.60

8.25

ꢂꢈꢉ

10.69

15.88

9.25

ꢄꢆꢊꢃ

V_F

.55V

I_FM= 5A;

T_J= 25°C

.380

.575

.325

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

.045

.020

.090

.080

.055

.045

.110

.115

.055

.025

1.14

0.51

2.29

2.03

1.14

1.40

1.14

2.79

2.92

1.40

I_R

0.5mA

T_J= 25°C

.045

.012

0.30

0.64

Typical Junction

Capacitance

C_J

200pF Measured at

1.0MHz,

.172

.190

4.37

4.83

V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBRB1035CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 35V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PL
MBRB1035CT-BP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
MBRB1035CT-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MBRB1035CT-TP	MCC	获取价格	暂无描述
MBRB1035-E3/81	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB
MBRB1035-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
MBRB1035-GT4	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
MBRB1035HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB
MBRB1035-HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB1035-HE3/81	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R

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