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MBRB10100CT

更新时间： 2024-02-28 09:17:27
品牌 Logo 应用领域
竹懋 - CITC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
10A Surface Mount High Power Schottky Barrier Rectifiers

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MBRB10100CT 技术参数

生命周期：Active包装说明：TO-263, D2PAK-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRB10100CT 数据手册

 浏览型号MBRB10100CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBRB10100CT的Datasheet PDF文件第3页 
MBRB1040CT THRU MBRB10200CT  
10A Surface Mount High Power Schottky Barrier Rectifiers  
■ Features  
■ Outline  
D2PAK(TO-263)  
• Low power loss, high efficiency.  
• High current capability, low forward voltage drop.  
• High surge capability.  
• Guardring for overvoltage protection.  
• Ultra high-speed switching.  
• Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction.  
• Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.MBRB1040CTG.  
• Lead-free parts meet environmental standards of  
MIL-STD-19500 /228  
0.411(10.45)  
0.380(9.65)  
0.245(6.22)  
0.055(1.40)  
0.031(0.80)  
0.190(4.83)  
0.160(4.06)  
0.055(1.40)  
0.045(1.14)  
MIN  
2
0.370(9.40)  
0.320(8.13)  
Marking code  
0~0.012(0~0.30)  
1
3
0.110(2.79)  
0.090(2.29)  
0.228(5.80)  
0.173(4.40)  
■ Mechanical data  
0.063(1.60)  
0.024(0.60)  
• Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.  
• Case : Molded plastic, TO-263 / D2PAK  
• Terminals : Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: Indicated by cathode band.  
• Mounting Position : Any.  
0.024(0.60)  
0.011(0.28)  
0.205(5.20)  
0.189(4.80)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
Dimensions in inches and (millimeters)  
• Weight : Approximated 1.70 gram.  
■ Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25OC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
10  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC method)  
Forward surge current  
IFSM  
125  
A
VR = VRRM TA = 25OC  
VR = VRRM TA = 125OC  
0.1  
10  
IR  
Reverse current  
mA  
CJ  
Diode junction capacitance  
Thermal resistance  
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage  
Junction to ambient  
150  
30  
pF  
OC/W  
OC  
RθJA  
TSTG  
Storage temperature  
-55  
+175  
Max.  
Max.  
Max.  
Max.  
RMS voltage  
VRMS (V)  
Max. DC  
blocking voltage  
VR (V)  
Operating  
temperature  
TJ (OC)  
forward voltage  
@5A, TA = 25OC  
VF (V)  
forward voltage  
@5A, TA = 125OC  
VF (V)  
repetitive peak  
reverse voltage  
VRRM (V)  
Symbol  
Marking code  
MBRB1040CT MBRB1040CT  
MBRB1045CT MBRB1045CT  
MBRB1060CT MBRB1060CT  
MBRB1065CT MBRB1065CT  
MBRB10100CT MBRB10100CT  
MBRB10150CT MBRB10150CT  
MBRB10200CT MBRB10200CT  
40  
45  
28  
31.5  
42  
40  
45  
0.70  
0.79  
0.57  
0.70  
60  
60  
-55 ~ +150  
-55 ~ +175  
65  
45.5  
70  
65  
100  
150  
200  
100  
150  
200  
0.81  
0.87  
0.90  
0.71  
0.77  
0.80  
105  
140  
Document ID : DS-12K63  
Issued Date : 2010/05/05  
Revised Date : 2012/05/31  
Revision : C1  
1
123

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与MBRB10100CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB10100CT-13 DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, GREEN,
MBRB10100CT-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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 		DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263
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 		Rectifier Diode,

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