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MBRB10100CT PDF预览

MBRB10100CT

更新时间： 2024-01-10 18:21:40
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 338K
描述
2SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBRB10100CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.63其他特性：LOW POWER LOSS
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRB10100CT 数据手册

 浏览型号MBRB10100CT的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
MBRB1030CT - - - MBRB10100CT  
BL  
VOLTAGE RANGE: 30 - 100 V  
CURRENT: 10 A  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
FEATURES  
D2PAK  
High surge capacity.  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
111wheeling, and polarity protection applications.  
0.421(10.69)  
0.380(9.65)  
0.190(4.83)  
0.172(4.37)  
0.055(1.40)  
0.045(1.14)  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
0.055(1.40)  
3
0.045(1.14)  
0.364(9.25)  
0.325(8.25)  
0.625(15.88)  
0.575(14.60)  
1
2
MECHANICAL DATA  
0.045(1.14)  
0.020(0.51)  
Case:JEDEC D2PAK,molded plastic body  
0.35(8.89)ref.  
0.110(2.79)  
0.090(2.29)  
0.220(5.58)  
0.180(4.58)  
0.025(0.64)  
0.012(0.30)  
Terminals:Leads, solderable per MIL-STD-750,  
PIN1  
0.115(2.92)  
0.080(2.03)  
1 1  
Method 2026  
Polarity: As marked  
Position: Any  
PIN3  
PIN2  
inch(mm)  
Weight: 0.087 ounces,2.2 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.  
Ratings at 25  
MBRB MBRB MBRB MBRB MBRB MBRB MBRB MBRB  
1030CT 1035CT 1040CT 1045CT 1050CT 1060CT 1090CT 10100CT  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
35  
25  
35  
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard total device  
IF(AV)  
IFSM  
10  
A
A
m rectified current @TC = 105°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
125  
b
sine-w ave superimposed on rated load  
Maximum forward  
voltage  
(I  
)
F=5.0A,TC=125  
0.70  
-
0.57  
(I  
(I  
0.70  
)
0.80  
0.95  
0.85  
-
F=5.0A,TC=25  
F=10A,TC=25  
V
VF  
(Note 1)  
0.84  
)
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@TC=25  
@TC=125  
0.1  
IR  
m A  
15  
6.03)  
Maximum thermal resistance (Note2)  
RθJC  
TJ  
6.8  
4.4  
/W  
Operating junction temperature range  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
www.galaxycn.com  
2. Thermal resistance from junction to case.  
3.TC=100  
1.  
Document Number 0267055  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB10100CT-13 DIODES

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