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MBR750-E3/45

更新时间： 2024-11-23 21:08:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 129K
描述
DIODE 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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MBR750-E3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR750-E3/45 数据手册

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MBR745, MBR760, MBRF745  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Power pack  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power loss, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
2
2
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106  
1
MBR745  
MBR760  
1
MBRF745  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PIN 1  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching  
mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, and polarity protection application.  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-220AC, ITO-220AC  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
7.5 A  
45 V, 60 V  
150 A  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF  
0.57 V, 0.65 V  
150 °C  
TJ max.  
Polarity: as marked  
Package  
TO-220AC, ITO-220AC  
Single  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Diode variations  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR745  
MBR760  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
45  
45  
45  
60  
60  
60  
V
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
7.5  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
150  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 μs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dV/dt  
TJ  
1.0  
0.5  
10 000  
-65 to +150  
-65 to +175  
1500  
Operating junction temperature range  
°C  
V
Operating storage temperature range  
TSTG  
VAC  
Isolation voltage (ITO-220AC only) from terminal to heatsink t = 1 min  
Revision: 27-Nov-17  
Document Number: 88680  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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