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MBR6150F PDF预览

MBR6150F

更新时间： 2024-11-12 11:11:43
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强茂 - PANJIT 二极管瞄准线功效局域网
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2页 92K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR6150F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.39
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR6150F 数据手册

 浏览型号MBR6150F的Datasheet PDF文件第2页 
MBR640F~MBR6200F  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
6.0 Ampers  
40 to 200 Volts  
CURRENT  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: ITO-220AC full molded plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.  
MBR640F  
MBR645F MBR650F MBR660F MBR680F MBR690F MBR6100F MBR6150F MBR6200F  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
28  
40  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
80  
100  
Maximum Average Forward Current (See Figure 1)  
IF(AV)  
6.0  
75  
A
Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load(JEDEC method)  
IFSM  
A
Maximum Forward Voltage at 6.0A per leg  
VF  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
T
T
J
J
=25O  
=100O  
C
0.05  
20  
IR  
mA  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
3
O C  
/ W  
O C  
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
STAD-APR.30.2009  
12

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