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MBR3060PT PDF预览

MBR3060PT

更新时间： 2024-01-17 03:42:27
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 124K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR3060PT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR3060PT 数据手册

 浏览型号MBR3060PT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR3050PT thru MBR3060PT  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max. Min.  
Inches  
Max.  
Dimensions TO-247AD  
A
C
A
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
A
C
A
C(TAB)  
C
D
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
J
K
1.0  
1.4 0.040 0.055  
10.8 11.0 0.426 0.433  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
MBR3050PT  
MBR3060PT  
50  
35  
50  
60  
60  
42  
N
1.5 2.49 0.087 0.102  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
30  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
200  
A
dv/dt  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
IF=20A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
Voltage (Note 1)  
10000  
V/us  
0.75  
0.65  
0.80  
0.75  
IF=20A @TJ=125oC  
IF=30A @TJ=25oC  
IF=30A @TJ=125oC  
VF  
V
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
5
100  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
1.4  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3)  
Operating Temperature Range  
500  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-3P molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.2 ounces, 5.6 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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与MBR3060PT相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MBR3060PT-C SENSITRON Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 60V V(RRM), Silicon, TO-247AD, PLASTIC

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MBR3060PTC0 TSC Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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