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MBR3060ST

更新时间： 2024-01-26 19:41:42
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强茂 - PANJIT /
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2页 47K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR3060ST 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR3060ST 数据手册

 浏览型号MBR3060ST的Datasheet PDF文件第2页 
MBR3020ST SERIES  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
CURRENT  
VOLTAGE  
30 Amperes  
20 to 100 Volts  
0.615(15.60)MAX.  
FEATURES  
0.520(13.20)  
0.504(12.80)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
0.185(4.70)  
0.169(4.30)  
0.402(10.20)  
0.385(9.80)  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency.  
0.118(3.0)  
MIN.  
• High current capability  
0.599(15.20)  
0.582(14.80)  
• Guardring for overvoltage protection  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
0.103(2.60)  
0.090(2.30)  
0.071(1.80)  
0.055(1.40)  
0.095(2.40)  
0.078(2.00)  
0.050(1.25)  
0.037(0.95)  
MECHANICAL DATA  
0.025(0.62)  
0.014(0.38)  
• Case: TO-247S/TO3PS molded plastic  
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
0.223(5.65)  
0.206(5.25)  
0.223(5.65)  
0.206(5.25)  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.1932 ounces, 5.4803 grams.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR3020ST MBR3030ST MBR3040ST MBR3045ST MBR3050ST MBR3060ST MBR3080ST MBR3090ST MBR30100ST  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
VDC  
100  
IF(AV)  
30  
Peak Forward Surge Current :8.3ms single  
half sine-wave superi mposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
275  
A
V
Maximum Forward Voltage at 15A per leg  
VF  
0.70  
0.75  
0.8  
Maximum DC Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
TJ=25 OC  
TJ=125O  
0.1  
20  
0.05  
20  
IR  
mA  
C
OC  
W
/
Typical Thermal Resistance  
RJC  
1.4  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T
J
,TSTG  
-55 to + 150  
-65 to + 175  
OC  
Note :  
Both Bonding and Chip structure are available.  
August 31,2010-REV.02  
PAGE . 1  
12

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