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MBR3080

更新时间： 2024-02-17 22:52:12

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3页	297K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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MBR3080 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-247S, TO-3PS, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	275 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	80 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MBR3080 数据手册

MBR30100

MBR3020 THRU

Features

Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton

Guard ring for transient protection

Low power loss high efficiency

High surge capacity, High current capability

Maximum Ratings

TO-3

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum

Maximum DC

Blocking

MCC

Recurrent

Maximum

Part Number Peak Reverse RMS Voltage

Voltage

MBR3020

MBR3030

MBR3035

MBR3040

MBR3045

MBR3060

MBR3080

MBR30100

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

14V

21V

24.5V

28V

31.5V

42V

56V

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

PIN 1:

PIN 2:

CASE:

ANODE

CATHODE

70V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

INCHES

MIN MAX

1.550 REF

Average Forward

Current

I_F(AV)

30 A

T_L=105°C

DIM

MIN

MAX

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

400A 8.3ms, half sine

39.37 REF

-----

.250

.038

.055

.430 BSC

.215 BSC

.440

.665 BSC

-----

.151

1.187 BSC

.131 1.88

1.050

-----

6.35

0.97

1.40

26.67

.335

.043

.070

8.51

1.09

1.77

Maximum

I_FM= 30.0A;

Instantaneous

Forward Voltage

MBR3020-3045

MBR3060

MBR3080-30100

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

T_A= 25°C

10.92 BSC

5.46 BSC

.63 V

.75 V

.84 V

.480

11.18

12.19

16.89 BSC

.830

.165

-----

3.84

21.08

4.19

I_R

1.0 mA T_A= 25°C

30.15 BSC

3.33 4.77

Typical Junction

Capacitance

C_J

200pF Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%

WWW.PS-PFS.COM

Web Site:

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