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MBR3045CT PDF预览

MBR3045CT

更新时间： 2024-01-05 06:54:46
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR3045CT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.43
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR3045CT 数据手册

 浏览型号MBR3045CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR3030CT thru MBR3045CT  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
C
C(TAB)  
A
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
MBR3030CT  
MBR3035CT  
MBR3040CT  
MBR3045CT  
30  
21  
30  
35  
40  
45  
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
35  
24.5  
28  
40  
45  
31.5  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=100oC  
30  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
200  
dv/dt  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
IF=30A @TJ=125oC  
Maximum Forward  
0.72  
0.70  
0.84  
VF  
IF=15A @TJ=25oC  
V
Voltage (Note 1)  
IF=30A @TJ=25oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.2  
40  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
1.5  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3)  
Operating Temperature Range  
450  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AB molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR3045C-T SHIKUES

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MBR3045CT-1 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-262AA, PLASTIC
MBR3045CT-1-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-
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