Datasheet > MBR30100PT

MBR30100PT

更新时间： 2024-01-21 08:38:56

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBR30100PT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR30100PT 数据手册

MBR3030PT - MBR3060PT

30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Capability

High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

TO-3P

Dim

Min

3.20

Max

3.50

4.59

5.16

20.80

19.70

2.10

21.30

20.20

2.40

0.51

0.76

15.90

1.70

16.40

2.70

3.10Æ

3.50

3.30Æ

4.51

*2 Places

Mechanical Data

5.20

5.70

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Marking: Type Number

Weight: 5.6 grams (approx.)

Mounting Position: Any

1.12

1.22

1.93

2.18

2.97

3.22

11.70

12.80

4.30 Typical

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MBR

Characteristic

Symbol

Unit

3030PT 3035PT 3040PT 3045PT 3050PT 3060PT

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

I_O

RMS Reverse Voltage

24.5

31.5

Average Rectified Output Current

@ T_C= 125°C

(Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I_FSM

200

Forward Voltage Drop

per element (Note 3)

@ I_F= 20A, T_C

= 25°C

0.65

0.60

0.75

0.65

V_FM

I_RM

@ I_F= 20A, T_C= 125°C

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage, per element @ T_C= 125°C

@ T_C25°C

1.0

5.0

100

C_j

Typical Junction Capacitance

(Note 2)

(Note 1)

700

K/W

V/µs

°C

R_qJc

Typical Thermal Resistance Junction to Case

Voltage Rate of Change (Rated V_R)

Operating and Storage Temperature Range

1.4

2.0

dV/dt

T_j,T_STG

10,000

-65 to +150

Notes:

1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3. Pulse width £300 ms, duty cycle £2%.

DS23017 Rev. E-2

1 of 2

MBR3030PT - MBR3060PT

下载PDF

与MBR30100PT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MBR30100PT-BP	MCC	Rectifier Diode,	获取价格
MBR30100PT-E3	VISHAY	DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode	获取价格
MBR30100PTR	THINKISEMI	30 Amperes Heat Sink Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers	获取价格
MBR30100ST	PANJIT	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
MBR30100W	PFS	30 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts	获取价格
MBR30100W	MCC	30 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts	获取价格

与MBR30100PT相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBR30100PT

MBR30100PT 技术参数

MBR30100PT 数据手册

与MBR30100PT相关器件

与MBR30100PT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBR30100PT

MBR30100PT 技术参数

MBR30100PT 数据手册

与MBR30100PT相关器件

与MBR30100PT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？