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MBR2040

更新时间： 2024-01-02 11:05:30
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辰达行 - MDD /
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2页 584K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR2040 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR2040 数据手册

 浏览型号MBR2040的Datasheet PDF文件第2页 
MBR2020 THRU MBR20100  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current -  
20.0 Amperes  
FEATURES  
TO-220AC  
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
Construction utilizes void-free  
molded plastic technique  
Low reverse leakage  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
0.185(4.70)  
0.175(4.44)  
0.154(3.91)  
0.148(3.74)  
0.415(10.54)  
MAX  
DIA  
0.057(1.45)  
0.051(1.30)  
0.113(2.87)  
0.103(2.62)  
0.145(3.68)  
0.135(3.43)  
0.560(14.2)  
0.530(13.4)  
0.410(10.41)  
0.390(9.91)  
0.350(8.89)  
0.330(8.38)  
0.635(16.13)  
0.625(15.87)  
250 C,0.25”(6.35mm) from case for 10 seconds  
PIN  
1
2
1.148(29.16)  
1.118(28.40)  
0.160 (4.05)  
0.140 (3.55)  
0.110(2.79)  
0.100(2.54)  
MECHANICAL DATA  
0.590(14.22)  
0.530(13.46)  
0.037(0.94)  
0.027(0.68)  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
Case: TO-220AC molded plastic body  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.022(0.58)  
0.014(0.35)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
Polarity: As marked  
PIN 1  
PIN 2  
Mounting Position: Any  
Weight:0.064 ounce, 1.81 grams  
CASE  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
MBR MBR MBR MBR  
2070 2080 2090 20100  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
2020 2030 2040 2045 2050 2060  
SYMBOLS  
UNITS  
MDD Catalog  
Number  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
20 30  
14 21  
20 30  
40  
28  
40  
45 50  
32 35  
45 50  
60 70 80 90 100 VOLTS  
42 49 56 63 70 VOLTS  
60 70 80 90 100 VOLTS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at Tc(see fig.1)  
I(AV)  
20.0  
Amps  
Peak forward surge current  
IFSM  
150.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
Amps  
VF  
IR  
0.55  
0.75  
1.0  
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 10.0A  
Volts  
mA  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
TA=100 C  
15.0  
550  
50.0  
450  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJC  
2.0  
-50 to +125  
-50 to +150  
TJ  
Storage temperature range  
C
TSTG  
-50 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.Thermal resistance from junction to case  
12

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