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MBR2040CT PDF预览

MBR2040CT

更新时间： 2024-01-26 04:26:09
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR2040CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR2040CT 数据手册

 浏览型号MBR2040CT的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
MBR2020CT~MBR20100CT  
20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
Unit : inch (mm)  
TO-220AB  
VOLTAGE  
20 Amperes  
CURRENT  
20 to 100 Volts  
FEATURES  
.419(10.66)  
.196(5.00)  
.163(4.16)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
.387(9.85)  
.139(3.55)  
MIN  
.054(1.39)  
.045(1.15)  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency.  
• High current capability  
• Guardring for overvlotage protection  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS  
environment substance directive request  
.038(0.96)  
.019(0.50)  
.025(0.65)MAX  
MECHANICALDATA  
Case: TO-220AB molded plastic  
.1(2.54)  
.1(2.54)  
Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As marked.  
AC  
AC  
Positive CT  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.  
MAXIMUMRATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
PARAMETER  
SYMBOL MBR2020CT  
MBR2030CT  
30  
MBR2040CT  
40  
MBR2045CT  
45  
MBR2050CT  
50  
MBR2060CT  
60  
MBR2080CT  
80  
MBR20100CT UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
20  
14  
20  
100  
70  
V
V
V
A
A
V
Maximum RMS Voltage  
21  
30  
28  
40  
31.5  
45  
35  
50  
42  
60  
56  
80  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current (See fig.1)  
V
DC  
100  
I
AV  
20  
Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load(JEDEC method)  
I
FSM  
150  
Maximum Forward Voltage at 10A, per leg  
Maximum DC Reverse Current Tc=25 O C  
V
F
0.65  
0.8  
0.1  
20  
I
R
mA  
at Rated DC Blocking Voltage  
T
c
=125O  
C
O C  
W
/
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
2
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Notes :  
T
J
-50 TO  
+
+
150  
150  
O C  
O C  
T
STG  
-50 TO  
Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
STAD-JUL.25.2005  
12

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO
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