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MBR1660 PDF预览

MBR1660

更新时间： 2024-02-03 23:30:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 38K
描述
16 Ampere Schottky Barrier Rectifiers

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MBR1660 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.17
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR1660 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
MBR1635 - MBR1660  
.412(10.5)  
.185(4.70)  
.175(4.44)  
DIA  
MAX  
Features  
.154(3.91)  
.148(3.74)  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
• Low power loss, high efficiency.  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling, and polarity  
protection applications.  
.113(2.87)  
.103(2.62)  
.27(6.86)  
.23(5.84)  
.594(15.1)  
.587(14.91)  
Dimensions  
are in:  
inches (mm)  
1
2
.16(4.06)  
.14(3.56)  
• Metal silicon junction, majority carrier  
conduction.  
.11(2.79)  
.10(2.54)  
.56(14.22)  
.53(13.46)  
• High current capacity, low forward  
voltage drop.  
.037(0.94)  
.027(0.68)  
• Guard ring for over voltage protection.  
TO-220AC  
PIN 1 +  
.205(5.20)  
.195(4.95)  
+
.025(0.64)  
.014(0.35)  
CASE  
PIN 2 -  
CASE Positive  
16 Ampere Schottky Barrier Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
if(repetitive)  
if(surge)  
Average Rectified Current  
.375” lead length @ TA = 125°C  
Peak Repetitive Forward Current  
(Rated VR , Square Wave, 20 KHz) @ TA = 125°C  
Peak Forward Surge Current  
16  
A
32  
A
A
8.3 ms single half-sine-wave  
150  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
PD  
Total Device Dissipation  
2.0  
W
16.6  
Derate above 25°C  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
60  
RθJA  
RθJL  
Tstg  
TJ  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
Storage Temperature Range  
1.5  
°C/W  
°C  
-65 to +175  
-65 to +150  
Operating Junction Temperature  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
1635  
35  
1645  
45  
1650  
50  
1660  
60  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
24  
31  
35  
42  
35  
45  
50  
60  
V
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
10,000  
V/uS  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
0.2  
40  
1.0  
50  
mA  
mA  
@ rated VR  
TA = 25°C  
TA = 125°C  
Maximum Forward Voltage  
IF = 16 A, TC = 25°C  
0.63  
0.57  
0.75  
0.65  
V
V
IF = 16 A, TC = 125°C  
Peak Repetitive Reverse Surge  
Current  
1.0  
0.5  
A
2.0 us Pulse Width, f = 1.0 KHz  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
MBR1635 - MBR1660 Rev. A  
123

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MBR1660 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR1660/45 VISHAY

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MBR1660-5300HE3/45 VISHAY

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MBR1660CT KERSEMI

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 		Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton
MBR1660CT DACHANG

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MBR1660CT LUNSURE

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 		TO-220AB

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