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MBR1670CT

更新时间： 2024-01-05 17:52:32

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科盛美 - KERSEMI		/
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2页	111K
描述
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=100 C

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MBR1670CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	255	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR1670CT 数据手册

MBR1670CT thru MBR16100CT

Dimensions TO-220AB

Dim.

Inches

Min. Max.

Milimeter

Min. Max.

0.500 0.550

0.580 0.630

0.390 0.420

0.139 0.161

0.230 0.270

0.100 0.125

0.045 0.065

0.110 0.230

0.025 0.040

12.70 13.97

14.73 16.00

9.91 10.66

C(TAB)

3.54

5.85

2.54

1.15

2.79

0.64

2.54

4.32

1.14

0.35

2.29

4.08

6.85

3.18

1.65

5.84

1.01

BSC

4.82

1.39

0.56

2.79

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

V^RRM

V^RMS

V^DC

MBR1670CT

MBR1680CT

MBR1690CT

0.100

BSC

0.170 0.190

0.045 0.055

0.014 0.022

0.090 0.110

MBR16100CT 100

100

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I^(AV)

I^FSM

Maximum Average Forward Rectified Current @T^C=100^oC

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

125

dv/dt

Voltage Rate Of Change (Rated V^R)

I^F=8A @T^J=25^oC

Maximum Forward

Voltage (Note 1)

10000

V/us

0.85

0.75

0.95

0.85

I^F=8A @T^J=125^oC

I^F=16A @T^J=25^oC

I^F=16A @T^J=125^oC

V^F

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T^J=25^oC

0.1

100

I^R

@T^J=125^oC

2.0

^oC/W

^oC

R^OJC

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3)

Operating Temperature Range

275

-55 to +150

-55 to +175

T^J

T^STG

Storage Temperature Range

^oC

NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.

2. Thermal Resistance Junction To Case.

3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low V^F

* Case: TO-220AB molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams

* Mounting position: Any

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

www.kersemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MBR1680CT	HY	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR1680CT	LUNSURE	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR1680CT	PANJIT	获取价格	TO-220AB
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