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MBR1045

更新时间： 2024-02-25 18:15:24
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2页 426K
描述
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR1045 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.14Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.47 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：275 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：250 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR1045 数据手册

 浏览型号MBR1045的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1020~MBR10100  
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
Unit : inch (mm)  
TO-220AC  
VOLTAGE  
10 Amperes  
20 to 100 Volts  
CURRENT  
FEATURES  
.419(10.66)  
.387(9.85)  
.196(5.00)  
.163(4.16)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
.139(3.55)  
MIN  
.054(1.39)  
.045(1.15)  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency.  
• High current capability  
• Guardring for overvlotage protection  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet Rohs  
environment substance directive request  
.038(0.96)  
.019(0.50)  
.025(0.65)MAX  
MECHANICALDATA  
Case: TO-220AC molded plastic  
.1(2.54)  
.1(2.54)  
Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As marked.  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams.  
MAXIMUMRATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR1020  
20  
MBR1030  
30  
MBR1040  
40  
MBR1045  
45  
MBR1050  
50  
MBR1060  
60  
MBR1080  
80  
MBR10100  
100  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
Maximum RMS Voltage  
14  
20  
21  
30  
28  
40  
31.5  
45  
35  
50  
42  
60  
56  
80  
70  
V
V
A
A
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current (See fig.1)  
V
DC  
100  
I
AV  
10  
Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load(JEDEC method)  
I
FSM  
150  
Maximum Forward Voltage at 10A, per leg  
Maximum DC Reverse Current Tc=25 OC  
V
F
0.65  
0.8  
0.1  
15  
I
R
mA  
at Rated DC Blocking Voltage  
T
c
=125O  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
2
OC  
/ W  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
-50 TO  
+
+
150  
175  
OC  
OC  
T
STG  
-50 TO  
Notes :  
Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
REV.0-MAR.30.2005  
12

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