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MBR1030 PDF预览

MBR1030

更新时间： 2024-02-16 07:47:01
品牌 Logo 应用领域
星合电子 - GXELECTRONICS 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 377K
描述
Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction

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MBR1030 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.33其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR1030 数据手册

 浏览型号MBR1030的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1030 thru MBR10100  
星合 子  
XINGHE ELECTRONICS  
REVERSE VOLTAGE - 30 to 100Volts  
FORWARD CURRENT - 10.0 Amperes  
TO-220AC  
FEATURES  
.187(4.7)  
●Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction  
.108  
(2.75)  
.148(3.8)  
.055(1.4)  
.047(1.2)  
.153(3.9)  
.146(3.7)  
.413(10.5)  
.374(9.5)  
●Guard ring for transient protection  
●Low power loss,high efficiency  
●High current capability,low VF  
.270(6.9)  
.230(5.8)  
●High surge capacity  
●Plastic package has UL flammability  
.610(15.5)  
.583(14.8)  
classification 94V-0  
●For use in low voltage,high frequency inverters,free  
wheeling,and polarity protection applications  
.04 MAX  
(1.0)  
.157  
(4.0)  
.583(14.8)  
.531(13.5)  
.051  
(1.3)  
MECHANICAL DATA  
●Case: TO-220AC molded plastic  
●Polarity: As marked on the body  
●Weight: 0.08ounces,2.24 grams  
●Mounting position :Any  
.043(1.1)  
.032(0.8)  
.024(0.6)  
.012(0.3)  
.102(2.6)  
.091(2.3)  
.126  
(3.2)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SYMBOL MBR1030 MBR1040 MBR1050 MBR1060 MBR1080 MBR10100 UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
10.0  
150  
A
Rectified Current ( See Fig.1)  
Peak Forward Surge Current  
IFSM  
A
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)  
0.70  
0.57  
0.84  
0.72  
0.1  
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.1  
0.85  
0.71  
-
Peak Forward Voltage (Note1)  
IF=10A @TJ=25℃  
IF=10A @TJ=125℃  
IF=20A @TJ=25℃  
IF=20A @TJ=125℃  
@TJ=25℃  
VF  
IR  
V
-
0.1  
6.0  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Bolcking Voltage  
mA  
15  
10  
@TJ=125℃  
400  
2.5  
1100  
2.0  
Typical Junction Capacitance (Note2)  
Typical Thermal Resistance (Note3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
RθJC  
TJ  
pF  
℃/W  
℃
-55 to +150  
-55 to +175  
TSTG  
℃
NOTES:1.300us pulse width,2% duty cycle.  
2.Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3.Thermal resistance junction to case.  
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.  
WWW.SDDZG.COM  
TEL:0536-2210359  
QQ:464768017  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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